CGA3E2X7R1H104KT0Y0S 产品概述

一、产品简介

TDK 型号 CGA3E2X7R1H104KT0Y0S 为片式多层陶瓷电容（MLCC），规格为 100 nF（104），额定电压 50 V，温度特性 X7R，标称容差 ±10%（K）。封装为 0603（约 1.6 mm × 0.8 mm），适合表面贴装回流焊工艺。该元件属二类介质，体积小、频率响应好、直流偏置与温度下性能相对稳定，常用于电源去耦、滤波与旁路等场合。

二、主要规格参数

• 容值：100 nF（0.1 μF）
• 额定电压：50 V DC
• 温度系数 / 介质：X7R（-55 °C 到 +125 °C，温度下电容量变化在一定范围内）
• 容差：±10%（K）
• 封装：0603（英制 0.06"×0.03"，公制近似 1.6×0.8 mm）
• 结构：片式多层陶瓷，适用于无铅回流焊（具体焊接曲线请参考厂商数据表）

三、电气特性与设计注意

• DC 偏置效应：X7R 型陶瓷在施加直流偏压时会出现电容量下降，尤其在高电压条件下更明显。50 V 额定并不保证在工作电压下仍保有额定 100 nF，应参考厂家电容量随偏压的曲线，并在关键设计上留有余量或并联使用多个电容以补偿下降。
• 温度与老化：X7R 在温度范围内的电容随温度变化受限于规范（在 -55 °C 至 +125 °C 范围内变化有限），但仍存在随时间的老化效应（典型二类陶瓷老化率需参照数据表）。
• ESR/ESL：片式陶瓷电容具有低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），适合用于高频去耦。但 0603 尺寸相对于更大封装在纹波处理能力和寿命上会有所限制。

四、封装与装配建议

• 布局：去耦电容应贴近 IC 电源引脚放置，焊盘设计和过孔布局要尽量减小回路面积以降低寄生电感。
• 焊接：遵循 TDK 的回流焊建议曲线，避免温度骤变和过度机械应力；焊接后避免在元件上施加弯曲力以防裂纹。
• 并联使用：在需要同时满足低频和高频去耦时，可将 X7R 与陶瓷 C0G/NP0 或不同封装容量的电容并联，以优化整体频率响应与偏压稳定性。

五、典型应用场景

• 电源旁路与去耦（数字 ASIC、微控制器、电源模块）
• 高频滤波与耦合回路
• 模拟前端旁路（非超高精度场景）
• 消费电子、通信设备和工业控制等中等温度/电压等级应用

六、选型与可靠性提示

在关键电源或精密模拟电路中，建议：

• 查阅并参考 TDK 官方数据表中关于容量随温度与偏压的曲线；
• 根据实际工作电压与容差选择合适的额定电压或并联多个电容以保证有效容量；
• 对于高可靠性应用，考虑电压去衰（derating）和采用更大尺寸或不同介质以降低失效风险。

总结：CGA3E2X7R1H104KT0Y0S 提供在 0603 体积下较高的容量与 50 V 耐压，适用于常见的去耦与滤波用途，但在设计时需重视 X7R 的 DC 偏置与温度特性，合理布局与并联策略可以提高系统性能与稳定性。若需更详细的机械尺寸、焊接曲线与电容量随偏压曲线，请参考 TDK 官方数据手册。