型号:

CGA4J1X7R1E335KT0Y0E

品牌:TDK
封装:0805
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
CGA4J1X7R1E335KT0Y0E 产品实物图片
CGA4J1X7R1E335KT0Y0E 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 25V ±10% 3.3uF X7R
库存数量
库存:
4000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.401
2000+
0.363
产品参数
属性参数值
容值3.3uF
精度±10%
额定电压25V
温度系数X7R

CGA4J1X7R1E335KT0Y0E 产品概述

一、基本信息

CGA4J1X7R1E335KT0Y0E 为 TDK 出品的多层陶瓷贴片电容(MLCC),主要参数如下:

  • 容值:3.3µF
  • 精度:±10%
  • 额定电压:25V DC
  • 温度特性:X7R(-55°C ~ +125°C,按 IEC 标准温度范围内电容量变化限值)
  • 封装:0805(公制约 2.0 × 1.25 mm)
  • 类型:非极性,多层陶瓷,适合卷带贴片 SMT 生产工艺

二、主要特性

  1. 容量密度高:在 0805 尺寸下能提供 3.3µF 容值,便于在空间受限的电路板上实现较大的去耦/旁路电容储备。
  2. X7R 硅酸钛系介质:温度范围宽、线性好,常用于对温度稳定性有中等要求的电源与模拟电路。需注意 X7R 属 II 类介质,随温度和时间会有一定的容值变化。
  3. DC 偏压特性:在施加直流电压时,陶瓷电容的有效电容量会降低,尤其是高介电常数材料,设计时应预留裕量或并联使用以保证额定工作容量。
  4. 低 ESR/低 ESL:适合去耦与瞬态电流滤波,响应速度快,有利于降低电源噪声。
  5. 机械强度与可靠性:符合常见的电子元器件可靠性测试要求,但需注意贴片应力与弯曲对芯片破裂的影响。

三、典型应用

  • 电源去耦与旁路(CPU、PMIC、SoC 的局部去耦)
  • DC-DC 转换器输入/输出滤波与储能补偿
  • 通信设备与消费类电子的噪声抑制与耦合/旁路
  • 模拟电路中对稳定性要求不高但需较大容量的滤波场合

四、设计与使用注意事项

  1. DC 偏压与工作容量:实际工作电压下(接近额定电压)容量会显著下降,设计时按经验进行降额或选择更高电压等级/并联多颗电容。
  2. 并联策略:为降低等效串联电感(ESL)和提高电流承受能力,可并联多个不同封装/不同 ESR 的电容以覆盖宽频响应。
  3. 焊接与PCB 布局:推荐采用大厂给出的焊盘尺寸与回流工艺;避免在电容两端或附近产生过大机械应力,过度弯曲或PCB局部应力可能导致芯片裂纹。
  4. 老化与温漂:X7R 有随时间缓慢衰减(老化)和温度相关的容值变化,关键设计需考虑长期漂移。
  5. 储存与焊前处理:若受潮,需按制造商规范回流前烘烤处理;长期储存建议防潮包装。

五、可靠性与质量保障

TDK 系列产品通过常规的温度循环、湿热、振动和机械冲击测试,并提供典型的电气特性数据表。实际使用中建议参考 TDK 数据手册中的耐压、绝缘电阻、介质损耗等参数及推荐回流曲线,以确保焊接质量与长期可靠性。

六、选型与替代建议

在设计 BOM 时,若考虑成本或交付,可选用同规格同介质的其他制造商产品(如 Murata、Samsung、Yageo 等)的 0805 3.3µF 25V X7R 型号,但应对比 DC 偏压特性、等效串联电阻/电感(ESR/ESL)、封装尺寸公差与可靠性认证。关键电源路径或具有严格温漂要求的电路,优先保留原厂数据并做实际验证。

总结:CGA4J1X7R1E335KT0Y0E 在 0805 小封装中提供较大电容值,适合空间受限的去耦与滤波应用。使用时需注意 DC 偏压、温漂与机械应力对性能的影响,合理配置并联与布板可获得最佳的电源去耦效果。若需具体电气特性曲线(如容值随电压/温度变化曲线)、回流曲线或封装尺寸图,请参照 TDK 官方数据手册。