TDK CGA2B3X7R1H683KT0Y0F 产品概述

一、产品简介

TDK CGA2B3X7R1H683KT0Y0F 为一款表面贴装陶瓷多层电容器（MLCC），额定容量 68 nF（0.068 µF），公差 ±10%（K），额定电压 50 V，介质类型 X7R，封装为 0402（约 1.0 mm × 0.5 mm）。该器件适用于对体积、频率响应和温度稳定性有中等要求的去耦、滤波与耦合场合，兼具小体积与良好的频率特性。

二、主要特性

• 容值：68 nF（0.068 µF）
• 容值公差：±10%（K）
• 额定电压：50 V DC
• 介质：X7R（温度范围 -55°C 至 +125°C，典型电容变化 ±15%）
• 封装：0402（约 1.0 mm × 0.5 mm）
• 封装类型：贴片多层陶瓷电容（MLCC）
• 品牌：TDK
• 适合高频去耦、滤波与旁路场合，具有低等效串联电阻（ESR）与低等效串联电感（ESL）

三、性能与电气注意事项

• 温度特性：X7R 介质在 -55°C 至 +125°C 范围内容量变化受限于 ±15%，适合对温漂有一定容忍度的应用场景。
• 直流偏压效应：陶瓷高介电常数材料在施加直流偏压时会出现容量下降现象（DC bias），随电压上升容量逐步减少。设计时需参考 TDK 提供的 DC bias 曲线，避免在电路中误估有效容量。
• 频率响应：0402 小封装具有较低的 ESL，适用于高频去耦和快速瞬态电流抑制，但在超高频或严格相位要求场合仍需结合 PCB 布局与寄生参数评估。
• 可靠性：X7R 类陶瓷较 Y5V 等介质稳定性更好，但属于二类介质，仍存在老化（随时间容量轻微下降）的特性。对于长期容量稳定性要求高的设计，可考虑补偿或选用其他电容类型。

四、典型应用场景

• 数字电源去耦与局部旁路（CPU、MCU、功率放大器等）
• 模拟信号耦合与滤波（输入/输出滤波、RC 网络）
• 高频滤波与 EMI 抑制
• 时钟、定时电路的旁路与稳定化
• 空间受限的移动设备与消费类电子产品

五、封装与装配建议

• 0402 封装尺寸小，便于高密度 PCB 设计，但对手工焊接与贴装精度要求高。建议采用自动化贴装与回流焊流程。
• 回流焊：遵循 TDK 推荐的回流温度曲线与 IPC/JEDEC 标准，峰值温度通常不超过 260°C；避免超过推荐曲线以防内部裂纹或电性能退化。
• PCB 布局：将去耦电容尽可能靠近芯片电源引脚并缩短回流路径；为减小寄生电感，建议尽量缩短焊盘间走线并使用适当的过孔布线策略。
• 机械应力：贴片陶瓷电容器对弯曲和机械冲击较为敏感，焊接后避免对 PCB 产生过大的弯曲或热应力；在需要的场合可采用阻焊或支撑结构减少应力集中。
• 焊盘与丝印：请参考 TDK 产品数据手册中的推荐焊盘尺寸与焊膏印刷规范，以获得最佳焊接可靠性。

六、设计与选型建议

• 直流偏压与温度对容量的影响：在系统中应以偏压下的有效容量与温度曲线为依据进行容量裕量设计，必要时并联多个电容或选择更高额定电压/更低偏压敏感的方案。
• 电压与降额：尽量避免长期工作在额定电压的极限值。对于关键可靠性应用，建议参考厂商降额建议（例如按实际工作条件适当留有裕量）。
• 并联使用：若需要更大容量或更低 ESR/ESL，可将多个相同或不同容值的 MLCC 并联；并联也能改善直流偏压下的总容量表现。

七、可获得的技术资料与支持

若需完整的电气参数曲线（DC bias、温度特性、等效串联电阻/电感随频率变化等）、推荐焊盘尺寸、回流焊曲线及可靠性测试数据，请参阅 TDK 官方数据手册或联系 TDk 客户支持与授权分销商获取最新资料。

总结：CGA2B3X7R1H683KT0Y0F 为一款在微型封装下提供稳定中等容量与良好高频特性的 X7R MLCC，适合多种去耦与滤波应用。设计时应重点关注直流偏压、温度漂移与装配工艺，以确保电路性能与长期可靠性。