CKG57NX5R1H226MT0S9W 产品概述

一、产品简介

CKG57NX5R1H226MT0S9W 为 TDK 系列贴片多层陶瓷电容（MLCC），标称容量 22 μF，公差 ±20%，额定工作电压 50 V，封装规格为 2220（大型片式封装）。采用 X5R 类介质，适合需要较大电容量且体积受限的表贴电路中作为滤波、储能与去耦之用。

二、主要电气参数

• 标称容量：22 μF（±20%）
• 额定电压：50 V
• 介质类型：X5R（温度特性适用于 −55℃ 至 +85℃）
• 封装：2220（常见物理尺寸约 5.7 mm × 5.0 mm，具体请参见厂方数据手册）
• 特点：低等效串联电阻（ESR）与低等效串联电感（ESL），适合高频去耦

三、性能特点

• 大容量与高电压共存：在 2220 大尺寸下实现 22 μF/50 V，适合中高电压电源轨的储能与滤波。
• X5R 介质在宽温度范围内保持较稳的电容特性，适用于一般工业与消费类应用。
• MLCC 的固态结构带来极低 ESR 和良好 高频响应，适合开关电源输入/输出滤波及瞬态响应要求高的场合。
• 需注意：X5R 属于 II 类介质，存在随温度变化及直流偏压（DC bias）下电容值下降的现象。实际在额定电压下电容有效值会有所降低，设计时应预留裕量或进行实际测量验证。

四、应用场景与选型建议

• 典型应用：DC-DC 转换器输入/输出滤波、主电源去耦、电池供电系统的中间储能、工业电源模块和通信设备的电源滤波。
• 选型建议：
  • 若工作电压常接近 50 V，需评估 DC bias 对容量的影响并考虑降容率；必要时并联多个不同容值/类型的电容以兼顾低频容量与高频去耦性能。
  • 对低频大能量储存场景（如大电流纹波吸收），可将 MLCC 与铝电解或固态电容配合使用以降低 ESR 并增加低频容量。
  • 在振动或热循环严苛环境下，应参考厂方可靠性资料并考虑机械应力缓释设计（如过孔/焊盘布局优化）。

五、封装、可靠性与焊接提示

• 封装为 2220，大尺寸陶瓷件对 PCB 弯曲和热机械应力敏感。建议使用推荐的 PCB 引脚尺寸与焊盘设计，遵循厂家回流焊工艺曲线。
• 装配时避免强烈弯曲或拉伸导致的焊接裂纹；大尺寸 MLCC 装配后可通过局部应力缓解设计（加大焊盘过渡、减少贴片附近的应力集中）提升可靠性。
• 安装前后及长期运作过程中，若对电容随温度/偏压的变化敏感，建议通过测量验证以保证系统性能。

如需更详细的参数（尺寸图、温度/频率特性曲线、DC bias 曲线、寿命与可靠性数据），建议查阅 TDK 官方数据手册或提供具体应用工况以便进一步优化选型与电路布局。