型号:

1210B104K631NT

品牌:FH(风华)
封装:1210
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
1210B104K631NT 产品实物图片
1210B104K631NT 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 630V ±10% 100nF X7R
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最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.398
2000+
0.36
产品参数
属性参数值
容值100nF
精度±10%
额定电压630V
温度系数X7R

1210B104K631NT 产品概述

一、产品简介

1210B104K631NT 是风华(FH)系列高压多层贴片陶瓷电容(MLCC),额定电压 630V,标称电容 100nF(0.1µF),容差 ±10%,介质类型 X7R,封装规格为 1210。该产品为非极性器件,适合在中高压直流与交流电路中提供滤波、旁路、吸收与耦合功能,兼顾体积与耐压性能。

二、主要电气参数

  • 容值:100nF(0.1µF)
  • 容差:±10%(K)
  • 额定电压:630V DC(典型标称值)
  • 介质温度特性:X7R(-55°C ~ +125°C,温度范围内容值变化通常在 ±15% 范围)
  • 极性:无(非极性,多层结构)
  • 典型特性:低等效串联电阻(ESR)与低等效串联电感(ESL),适合快速瞬态响应的滤波应用

三、尺寸与机械参数

  • 封装规格(EIA):1210(英寸)≈ 0.12" × 0.10"(约 3.05 mm × 2.54 mm)
  • 芯厚与端电极尺寸视具体规格略有差异,应以厂家数据表为准
  • 焊接方式:推荐回流焊工艺

四、性能特点

  • 高耐压设计,适用于高压直流母线去耦与脉冲抑制
  • X7R介质在宽温度范围内保持较稳定的电容特性,适应工业级温度变化
  • 体积小、寄生参数低,适用于对频率响应有要求的电源与EMI抑制场合
  • 无极性,可用于交流耦合或高压双向应用

五、典型应用场景

  • 高压开关电源的直流母线旁路、输入滤波与中间直流(DC-link)抑制
  • 电机驱动、逆变器与功率因数校正(PFC)电路的吸收/旁路
  • 高频开关器件(IGBT、MOSFET)旁路与转瞬冲击抑制
  • 高压耦合/去耦与EMI滤波模块

六、使用与设计建议

  • DC 偏置效应:X7R 型 MLCC 在高直流偏置下有明显的电容下降(随电压上升电容减小),设计时应预留裕量或进行实际测试以确认工作电容满足需求。
  • 温度与频率响应:在极端温度或高频条件下,电容值与损耗会发生变化,关键电路应做实际环境测试。
  • PCB 布局:靠近噪声源放置并短连接到接地/电源轨,可有效降低寄生环路;避免器件贴近 PCB 边缘或过度弯曲以减少机械应力导致的裂纹。
  • 回流焊工艺:遵循厂家回流曲线及 IPC 焊接标准,避免过高温度与急冷,焊后检查可见裂纹与焊点完整性。
  • 储存与搬运:避免受潮与剧烈碰撞,贴片电容对机械应力敏感,贴装过程中要控制搬运与板弯曲。

七、可靠性与注意事项

  • X7R 属 II 类介质,容量密度高但对温度、偏压敏感度大于 NP0/C0G;在要求高稳定性的时序或精密滤波场合请慎用。
  • 长期在接近额定电压下工作可能影响寿命与可靠性,关键应用建议考虑电压裕度或并联/串联方案。
  • 选型时建议索取风华完整数据手册与容量随电压曲线(DC-bias curve),并根据实际工况做样品测试验证。

八、选型建议

若设计需要在有限空间内兼顾较高耐压与较低寄生参数,1210B104K631NT 是常用的选择。对于对容量稳定性要求极高的关键通路,应评估 X7R 在工作电压与温度下的实际表现;必要时可采用容量更高额定电压或并联多只器件以降低单只 DC-bias 影响。购买与生产前,建议向风华获取完整规格书与可靠性报告以完成最终确认。