CBW321609U102T 产品概述

一、产品简介

CBW321609U102T 是风华（FH）生产的一款 1206 封装磁珠，用于射频/电磁干扰（EMI）抑制和电源线噪声滤除。该器件在 100 MHz 频率点具有较高阻抗（1 kΩ），适合抑制中高频干扰，同时保持较低直流电阻，适用于对压降敏感的应用场景。额定工作温度范围为 -55℃ 到 +125℃，单通道设计，额定持续电流 2 A。

二、主要电气参数

• 型号：CBW321609U102T（FH/风华）
• 封装：1206（3216 公制）
• 阻抗：1 kΩ @ 100 MHz（典型值）
• 直流电阻（DCR）：约 250–300 mΩ，公差 ±25%
• 额定电流：2 A（连续）
• 通道数：1
• 工作温度：-55℃ ~ +125℃
• 阻抗公差/工艺波动：±25%

三、特性与优势

• 在 100 MHz 附近阻抗高，能有效吸收和衰减中高频干扰，适合开关电源、通信模块等产生的噪声频段。
• 封装为 1206，机械强度与焊接可靠性均较好，便于自动贴装与回流焊工艺。
• 低 DCR 有利于减小直流压降与功率损耗，使其可用于中等电流的电源轨滤波。
• 宽温度范围满足工业级环境要求。

四、典型应用场景

• 开关电源输出滤波（DC-DC 模块输出侧）
• 模拟电路与敏感射频前端的电源噪声隔离
• USB、摄像头模块、无线通信模块的电源线 EMI 抑制
• 嵌入式系统主板与消费电子的电源干扰治理

五、布局与使用建议

• 将磁珠串联放置在噪声源与被保护电路之间，靠近噪声源一侧放置更有利于抑制传播。
• 与去耦电容搭配使用，可形成低阻抗的滤波网络：磁珠串联在电源线上，去耦电容接地以旁路高频分量。
• 注意直流压降与发热：以 DCR 取较大值（例如 300 mΩ）计算，2 A 连续时理论压降可达 ~0.6 V，功耗 P = I^2·R 可达 ~1.2 W，可能引起显著发热；实际应用中应评估热升和允许压降，必要时并联或选用更低 DCR 产品。
• 磁珠的阻抗随直流偏置电流增加会下降，请在实际工作电流条件下验证阻抗特性（datasheet 中常有偏置特性曲线）。

六、品质与可靠性注意事项

• 建议按器件厂商推荐的回流焊曲线进行热循环，避免超温导致材料性能退化。
• 在高功率、高温环境下使用时需关注长期热漂移与阻抗变化，必要时做加速老化试验验证。
• 生产测试可采用网络分析仪测量阻抗/插入损耗（S 参数），并结合直流电阻测量判断批次一致性。

七、选型提示

• 若工作电流明显高于 2 A 或对压降极其敏感，应优先考虑更低 DCR 或更大封装、并联方案。
• 如果目标频段低于 100 MHz，请确认器件在该频段的阻抗曲线以获得预期抑制效果；高频抑制需求可参考更高阻抗型号。
• 对关键通道建议样片验证，包括温升、阻抗随电流/温度变化以及实际 EMI 抑制效果测试。

如需进一步数据（阻抗随频率曲线、偏置特性、回流焊曲线或封装尺寸图），可参考风华官方产品资料或提供更多具体使用工况以便给出更精确的选型建议。