型号:

CBW201209U600T

品牌:FH(风华)
封装:0805
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CBW201209U600T 产品实物图片
CBW201209U600T 一小时发货
描述:磁珠 60Ω@100MHz 60mΩ ±25% 3A
库存数量
库存:
11
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0293
4000+
0.0232
产品参数
属性参数值
阻抗@频率60Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)50mΩ
额定电流3A
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

CBW201209U600T 产品概述

一、产品简介

CBW201209U600T 是风华(FH)系列的一款贴片磁珠,封装为0805(公制2012),面向抑制电路中高频干扰、改善电磁兼容(EMC)性能的应用场景。其在100MHz处标称阻抗为60Ω(规格允许±25%偏差),额定直流电流为3A,工作温度范围为-55℃到+125℃,适合中小功率、对 EMI 要求较高的通信、消费电子与工业控制系统。

二、主要参数概览

  • 标称阻抗:60Ω @ 100MHz(±25%)
  • 直流电阻(DCR):典型约50mΩ(元件寄生损耗应参考实际样片测试)
  • 额定电流:3A(DC)
  • 封装:0805(2012 公制)
  • 通道数:1(单端磁珠)
  • 工作温度:-55℃ ~ +125℃
  • 品牌:FH(风华)

三、结构与电气特性说明

磁珠通过磁性材料在高频下产生无源损耗以衰减共模/差模干扰。标称 60Ω@100MHz 表示该型号在 100MHz 附近具有较高的阻抗,有利于抑制高频噪声。阻抗值随频率变化,典型特性是低频时呈低阻抗,随频率升高进入损耗区间并达到标称值;因此在选型时需关注目标干扰频段与器件频响曲线。DCR 为元件的直流电阻,直接影响在大电流条件下的功耗与发热。

四、功耗与散热考量

在最大额定电流 3A 下,按典型 DCR 50mΩ 估算 I^2·R 损耗约为 0.45W,这在小封装(0805)上会产生明显的温升。实际应用中:

  • 建议对器件温升进行热仿真或实测验证;
  • 如需长期大电流运行,应考虑并联多个磁珠或选用低DCR的器件替代;
  • 在布局上给予良好散热路径(增加铜箔面积、靠近接地平面)以降低温升并保证可靠性。

五、典型应用场景

  • 手机、路由器、无线模块等通信设备的电源线与信号线噪声抑制;
  • USB、HDMI 等高速接口的共模/差模 EMI 控制(需结合具体频带特性验证);
  • 工业控制与车载电子中对高频干扰敏感的电源或信号滤波点;
  • 作为输入电源线的首级噪声抑制元件,配合电容形成简易 LC 低通网络。

六、PCB 布局与焊接建议

  • 将磁珠尽量靠近噪声源或接口处以提高抑制效果;
  • 对于电源线噪声,在磁珠输入端与电源源头或滤波电容之间短距离放置效果最佳;
  • 保证焊盘与器件有足够的焊接面积,避免因焊点热阻增加导致温升增大;
  • 焊接温度与时间遵循风华推荐的回流曲线,避免过热影响磁性材料性能。

七、选型与替代建议

  • 若目标抑制频段主要集中在 100MHz 附近,CBW201209U600T 为合适选择;若频段更高或更低,应参考完整的频率响应曲线;
  • 对于长期 3A 以上或对功耗/发热敏感的设计,建议选用更低 DCR 或更大封装的磁珠,或考虑多颗并联以分担电流;
  • 若需更严格阻抗公差或特定频带优化,可咨询供应商获取 S 参数或阻抗频率曲线以便电路仿真验证。

八、质量与可靠性

风华(FH)作为知名被动元件厂家,产品通常通过常规的温度循环、湿热与机械应力测试。为保证一致性,建议在量产前进行来样测试(如阻抗测量、热升测试与温度循环),并确认在目标工作环境下的性能稳定性。

总结:CBW201209U600T 为一款面向 100MHz 附近高频噪声抑制的 0805 封装磁珠,适用于中等电流(3A)场合,使用时需关注直流损耗与热管理。在实际设计中,结合频率响应曲线与热特性进行验证,能获得最佳的 EMC 改善效果与长期可靠性。