型号:

BD135

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:TO-126
批次:25+
包装:-
重量:-
其他:
-
BD135 产品实物图片
BD135 一小时发货
描述:三极管(晶体管) BD135 TO-126
库存数量
库存:
2896
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:200
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.45468
200+
0.39528
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1.5A
集射极击穿电压(Vceo)45V
耗散功率(Pd)1.25W
直流电流增益(hFE)250@150mA,2V
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

BD135(三极管)产品概述 — TO-126 封装(CJ/长电)

一、主要参数与特点

BD135 是一颗 NPN 型功率三极管,CJ(江苏长电/长晶)生产,TO-126 塑封。关键参数包括:集电极电流 Ic 最大 1.5A,集—射极击穿电压 Vceo 45V,最大耗散功率 Pd 1.25W(封装热性能限制),直流电流增益 hFE 在 150mA、VCE=2V 条件下约为 250,集电极截止电流 Icbo 典型 100nA,集电极饱和电压 VCE(sat) 在 50mA 与 500mA 时约为 0.5V(典型),射—基极反向击穿电压 Vebo 5V,工作温度范围 −55℃ 至 +150℃。本次数量:1 只 NPN。

二、电气性能要点

  • 适合中低压(≤45V)、中等电流(≤1.5A)应用。
  • 在中等工作电流下 hFE 较高,适用于放大器级或缓冲级。但随电流增加,增益会下降,实际设计时应参考数据手册的 hFE-vs-Ic 曲线。
  • 饱和特性较好:作为开关使用时,VCE(sat) 在高达数百毫安电流下仍约为 0.5V,但建议按饱和区工作(Ib ≈ Ic/10)配置驱动基极电流以保证低饱和压降。
  • 注意基极反向承受能力(Vebo≈5V),避免在电路中对基极施加超过此值的反向电压。

三、典型应用场景

  • 音频前级、小功率功放驱动与缓冲放大。
  • 电源开关、继电器/小电机驱动、指示灯或小负载开关。
  • 放大器输出级的前置功率段、线性放大器或电平转换器。
  • 教学与原型板设计中常用的中功率 NPN 元件。

四、使用建议与热设计

  • 由于 TO-126 封装的热阻和 Pd 限制,若在接近最大耗散功率工作,必须提供良好散热或金属过孔/散热片以降低结温,避免热失控。
  • 设计开关电路时按保守 Ib=Ic/10(或更低)来计算基极电阻,确保进入饱和区且保持可靠性。
  • 在放大应用中,根据期望增益和负载电流选取偏置点,并留有余量避免接近 Vceo、Vebo 极限。
  • PCB 布局中保持集电极散热面积尽量大,注意与其他热源的隔离,良好接地和去耦可以提高稳定性。

五、封装、引脚与可靠性注意

  • 封装:TO-126,适合板上安装与带有限散热要求的应用。具体引脚排列与焊接图请以 CJ 官方数据手册为准。
  • 可靠性:工作温度范围宽(−55℃~+150℃),适合工业级应用;但长期高温、高功耗下会缩短寿命,建议在设计中考虑结温与热循环应力。
  • 选型提示:若需要更高电流或更低封装热阻,可考虑 TO-220 或更大功率器件;相反若需更小封装和低功耗,可选 SMD 型晶体管。

总结:BD135(CJ,TO-126)是款性价比较高的中功率 NPN 晶体管,适合多种放大与开关应用。实际电路设计时请参考完整数据手册中的曲线与绝对最大额定值,做好热管理与基极驱动设计以确保长期可靠运行。