GRM1555C1H9R0CA01D 产品概述

一、概要说明

GRM1555C1H9R0CA01D 为村田（muRata）贴片多层陶瓷电容，封装为 0402（约 1.0 × 0.5 mm），标称电容值 9.0 pF，额定电压 50 V，温度特性为 C0G（又称 NP0），容差 ±0.25 pF（约 ±2.8%）。该器件属于 Class I 陶瓷，具有极好的温度稳定性与低损耗特性，适合对精度和频率性能要求较高的电路。

二、主要特性

• 温度系数：C0G（典型 0 ±30 ppm/°C），在常用温度范围（通常 −55 至 +125°C）内电容变化极小。
• 额定电压：50 V，适用于中低压信号路径与偏置场合。
• 容差：±0.25 pF（高精度分档），适合对绝对电容值有严格要求的设计。
• 低损耗、低等效串联电阻/电感（ESR/ESL）与高 Q 值，频率响应优异，适合 RF 及高速信号应用。
• 小体积 0402 封装，有利于高密度 PCB 布局与微型化产品设计。

三、典型应用

• 射频匹配网络、谐振回路与带通/带阻滤波器。
• 振荡器与时钟电路中的谐振/定时元件。
• 精密模拟电路（采样/放大/比较）中对旁路与耦合电容的高稳定性要求场合。
• 高频去耦和旁路、混频器及低噪声放大器前端元件。

四、封装与焊接建议

• 封装：0402（约 1.0 mm × 0.5 mm），推荐按厂商数据表的 PCB 焊盘尺寸与过孔布局设计。
• 回流焊：建议采用无铅回流工艺，遵循厂商的温度曲线，峰值温度通常不超过 260°C，避免长时间高温暴露以防机械性能退化。
• 贴装注意：采用合适的锡膏量与印刷模板，避免焊膏过多导致 tombstone 或偏移；元件体积小，需确保贴装与回流参数稳定。
• 防护与储存：防止机械挤压、弯曲与强振动；湿度敏感性低但仍建议按一般 SMD 元件的保管与再流前预处理要求操作。

五、测量与选型提示

• 测量条件：在低频（例如 1 kHz）测量可得容量近似值；在 RF 应用中应在工作频率或相近频率下测试以确认等效特性。
• 偏压影响：C0G（NP0）材料对直流偏压敏感性极低，通常可忽略电容值随偏压变化的问题，但在特定高频及高场强场合仍建议验证实际表现。
• 容差选择：±0.25 pF 的精密容差适用于滤波器或匹配网络对误差敏感的设计，若允许更大偏差可选更常见容差以降低成本。

如需完整电气特性曲线、推荐焊盘尺寸与回流曲线，请参考 muRata 官方数据手册以获得最准确的参数与工艺建议。