型号:

PTVSHC1DF7VB-HF

品牌:Prisemi(芯导)
封装:SOD-123FL
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
PTVSHC1DF7VB-HF 产品实物图片
PTVSHC1DF7VB-HF 一小时发货
描述:瞬态抑制二极管 PTVSHC1DF7VB-HF
库存数量
库存:
2000
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.177
3000+
0.157
产品参数
属性参数值
反向截止电压(Vrwm)7V
钳位电压19V
峰值脉冲电流(Ipp)145A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)2.4kW@8/20us
击穿电压7.8V
反向电流(Ir)200uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容480pF

PTVSHC1DF7VB-HF 产品概述

一、产品简介

PTVSHC1DF7VB-HF 为 Prisemi(芯导)推出的一款瞬态抑制二极管(TVS),采用 SOD-123FL 小型封装,针对瞬态过电压、静电放电(ESD)和脉冲干扰提供高能量吸收能力的点对点保护。该器件适用于低电压系统的输入/输出接口、电源线及工业/通信端口的过电压防护。

二、关键电气参数

  • 反向截止电压 Vrwm:7 V
  • 击穿电压(典型):7.8 V
  • 钳位电压(典型):19 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:145 A @ 8/20 μs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:2.4 kW @ 8/20 μs(对应能量约 2.4 kW × 20 μs ≈ 48 mJ)
  • 反向漏电流 Ir:200 μA(在 Vrwm 下)
  • 结电容 Cj:480 pF
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-2(ESD)与 IEC 61000-4-4(EFT)相关要求
  • 封装:SOD-123FL(低剖面、小占板面积)

三、主要特性与优势

  • 高脉冲吸收能力:在 8/20 μs 波形下能承受 145 A 的瞬态脉冲,适合中等能量浪涌保护。
  • 有效钳位:典型钳位电压 19 V,能在高幅值瞬态时快速夹紧并保护下游电路。
  • 紧凑封装:SOD-123FL 便于在空间受限的 PCB 上靠近被保护端口布局,减少线路感应。
  • 兼顾静电与电快速瞬变:通过 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-4 测试,适合工控、消费、通信等场景的抗扰度设计。

四、典型应用场景

  • USB、串口和低压数据接口的输入防护(5 V/3.3 V 系统)
  • 电源输入轨(低压 DC 线)防雷击与浪涌抑制
  • 工业控制设备的端口保护、继电器驱动侧的浪涌抑制
  • 通信设备、摄像头和消费电子产品的接插件处的防静电、防脉冲干扰

五、PCB 布局与使用建议

  • 靠近被保护引脚布置:将 TVS 尽可能靠近外部接口/连接器放置,缩短引线长度以降低钳位电压上升。
  • 保持短且粗的走线,减少串联电感与阻抗。
  • 结电容 480 pF 在高频高速信号线上可能引起信号畸变或驻波,若用于高速差分对或高频敏感线路,需评估信号完整性或考虑低电容替代品。
  • 热管理:在频繁承受脉冲或高能量环境中,注意器件的散热路径和周围铜箔面积,有助于提升重复脉冲能力与可靠性。
  • 极性确认:在实际电路中请确认器件极性并按制造商封装图安装(若需单向或双向功能,请以规格书为准)。

六、可靠性与合规性说明

该型号宣称通过 IEC 61000-4-2 与 IEC 61000-4-4 相关等级测试,具备良好 ESD 与 EFT 抗扰度能力。型号后缀 “-HF” 常用于标识环保/无卤或兼顾无铅工艺的版本,具体合规与包装信息请以厂方数据手册与合格证为准。

七、选型要点

  • 若保护对象为 5 V 或 3.3 V 逻辑电平系统,Vrwm=7 V、钳位 19 V 是常用选择;如需更低钳位以保护更敏感器件,可考虑 Vrwm 更低或更低钳位的型号。
  • 对高速信号(如 USB3、HDMI 等)应重点关注结电容(本器件 480 pF)对信号的影响。
  • 在高频繁冲击或更高能量浪涌场景下,评估器件的重复脉冲能力及热耗散,并根据应用选择更高 Ppp 或并联方案。

如需完整电气特性曲线、封装尺寸图与推荐焊盘布局,请参阅 Prisemi 官方数据手册或提供具体应用环境,我可协助进一步校核选型与 PCB 布局建议。