GRM155R61H334KE01D 产品概述

一、产品基本信息

GRM155R61H334KE01D 为村田（muRata）多层陶瓷电容器（MLCC），封装 0402（约 1.0 × 0.5 mm），标称容值 330 nF（0.33 μF），公差 ±10%，额定电压 50 V，介质材料 X5R。该型号面向表面贴装（SMD/SMT）应用，适合对体积和容量有较高要求的移动与工业电子设备。

二、电气特性与材料

• 容值：330 nF，公差 ±10%，适合用作去耦与储能用途。
• 额定电压：50 V，可直接应用于中低压电源轨。
• 介质：X5R，工作温度范围通常为 -55°C 至 +85°C，温度下容值变化较小但非温度稳定型（非 C0G/NP0），在高电压下存在明显的直流偏置效应（DC bias），需在设计中考虑实际工作条件下的有效容量变化。

三、封装与机械特性

0402 超小型封装有利于高密度布板与轻量化设计，但对焊接工艺和焊盘设计要求高。建议按照厂商的焊接指南进行回流焊，控制热循环并避免过度机械应力以降低裂纹与失效风险。封装适用于自动贴片与回流工艺。

四、典型应用场景

• 电源去耦与旁路：微控制器、模拟前端、射频前端附近的局部滤波。
• DC-DC 转换器输入/输出滤波，尤其空间受限的模块化电源。
• 一般高密度消费电子、便携设备、工业控制板的去耦与旁路电容。

五、设计与使用建议

• 考虑 X5R 的 DC bias 和温度依赖：在较高偏置电压下实际容值会下降，设计时应查阅厂方曲线或做实测，以保证有效容量满足系统需求。
• 布局：将去耦电容尽量靠近负载电源引脚放置，缩短回流路径并减小焊盘到器件引脚的寄生电感。
• 焊接：遵循厂商回流曲线与清洗建议，避免在焊接或机械装配过程中产生过大弯曲或冲击应力。
• 环境与老化：X5R 随温度与时间有一定老化效应，长期稳定性要求高的场合应考虑冗余或选用更稳定的介质。

六、可靠性与选型要点

在选型时，需综合考虑体积、容量、工作电压、温度范围及 DC bias 行为。若电路对容值稳定性、温漂或介质非线性敏感，应优先选择 C0G/NP0 或更大封装、不同介质的方案。对于常见的去耦与滤波需求，GRM155R61H334KE01D 在体积与容量之间提供了良好平衡，是空间受限设计的常用选择。若需更详尽的电气曲线、回流焊规范或可靠性数据，请参考村田官方数据手册。