BLM18HG102SH1D 产品概述

一、产品简介

BLM18HG102SH1D 为村田（muRata）06（0603）尺寸高阻抗磁珠，主要用于电磁干扰（EMI）抑制与信号线/电源线的噪声滤除。该器件在高频区具有较高阻抗，能够在不增加显著寄生电感的情况下衰减射频干扰，适合对空间和成本敏感的表贴电路设计。

二、主要参数

• 阻抗：1 kΩ @ 100 MHz（标称值）
• 阻抗公差：±25%（即约750 Ω ~ 1250 Ω @100 MHz）
• 直流电阻（DCR）：1.6 Ω
• 额定电流：100 mA（连续）
• 通道数：1（单通道）
• 工作温度范围：-55 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：0603（1608公制封装）
  （以上参数以工程选型为准，最终请参阅厂方数据表确认）

三、特性与应用优势

• 高频抑制能力强：在100 MHz 附近具有约1 kΩ 的阻抗，对高频开关噪声与电磁辐射有良好抑制作用。
• 小尺寸：0603 封装适合高密度 PCB 布局，便于批量自动贴装。
• 宽温度工作范围：适用于工业级或车规等广温度环境（请以实际认证为准）。
• 施工友好：表面贴装兼容常用回流焊工艺，便于量产。

四、典型应用场景

• 晶振、RF 模块、接口线缆（USB、HDMI、I2C 等）旁的 EMI 抑制
• 手机、便携式设备与 IoT 芯片周围的电源与信号净化
• PCB 电源输入端或模块边界处作为入侵噪声的首级滤波元件
• 与旁路电容配合构成 Pi/L 型滤波网络，改善共模/差模噪声表现

五、使用建议与注意事项

• 电流与压降：DCR 为 1.6 Ω，满额定电流 100 mA 时直流压降约为 0.16 V，功耗约 16 mW。若电源线压降敏感，应考虑较低 DCR 的器件或更大封装。
• 额定电流余量：建议在设计中保留余量（例如 70%~80% 额定值）以提高可靠性与温升裕度。
• 布局：将磁珠靠近噪声源或 PCB 入/出口安放，走线尽量短且宽，接地回流路径应直接且低阻。与旁路电容配合使用效果最佳。
• 回流与焊接：遵循厂方回流曲线与焊接规范，避免超温或过长保温时间以防机械或性能退化。
• 测试测量：阻抗值受频率与测试条件影响，测量时使用阻抗分析仪在所关注频段进行验证。

六、选型与替代考虑

• 若需更高电流能力或更低 DCR，可选更大封装（如0805、1206）或专用共模/差模滤波器；
• 若需要更强的低频抑制，考虑与电感或 LC 网络组合使用。
• 在关键应用（如车规或医疗）建议核对完整数据表与可靠性认证，并做实际板级验证。

总结：BLM18HG102SH1D 在 0603 体积下提供较高的 100 MHz 阻抗，适用于对射频噪声抑制有较高要求且电流不大的场合。在使用时需注意其较高的 DCR 和额定电流限制，合理布局与与旁路电容搭配可获得最佳 EMI 抑制效果。