型号:

GRM0335C1H120GA01D

品牌:muRata(村田)
封装:0201
批次:25+
包装:编带
重量:0.008g
其他:
-
GRM0335C1H120GA01D 产品实物图片
GRM0335C1H120GA01D 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 50V ±2% 12pF C0G
库存数量
库存:
13467
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:15000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0109
15000+
0.00809
产品参数
属性参数值
容值12pF
精度±2%
额定电压50V
温度系数C0G

GRM0335C1H120GA01D 产品概述

一、概述与主要参数

GRM0335C1H120GA01D 是村田(muRata)系列的一款贴片多层陶瓷电容(MLCC),针对高频和精密电路设计优化。其主要参数如下:

  • 容值:12 pF
  • 精度:±2%(高精度)
  • 额定电压:50 V
  • 温度特性:C0G(也称 NP0),温度稳定性优异
  • 封装:0201(贴片,约 0.6 mm × 0.3 mm,具体以厂商数据为准)
    该型号适用于对容值稳定性、温漂和损耗有严格要求的应用场景。

二、性能特点与电气特性

  • 温度系数(C0G/NP0):几乎为零的温度依赖,典型温度范围内容值变化极小,适合计时、振荡器、精密滤波等对容值稳定性敏感的电路。
  • 低损耗、高 Q:C0G 材料提供极低的损耗和高品质因数,减少信号衰减与相位误差,利于高频信号完整性。
  • DC 偏压特性优良:与介电常数较高的陶瓷相比,C0G 在直流偏压下容值变化非常小,适合在有直流偏置的电路中稳定工作。
  • 自谐频率较高:12 pF 与 0201 小封装组合,使器件自谐频率较高,适合射频去耦、谐振匹配和高频滤波应用。

三、典型应用场景

  • 高频去耦和终端匹配:基础射频前端、滤波器、天线匹配网络中的频率选择元件。
  • 振荡器与谐振电路:晶体/谐振器周边的定容或负载电容,受益于极低温漂与高稳定性。
  • 精密模拟电路:ADC/DAC 参考旁路、采样保持、滤波与时间基准电路。
  • 通信与移动设备:射频链路、滤波器、时钟网络及其他对稳定性、体积有严格要求的模块。
  • 工业与仪表:温度漂移和长期稳定性要求高的测量、控制电路。

四、封装与装配注意事项

  • 焊接工艺:适用于标准无铅回流焊(Pb‑free)工艺。遵循村田推荐的回流曲线以避免热应力导致的裂纹或失效。
  • PCB 布局建议:器件尺寸小,建议用短而宽的走线连接,靠近地平面处进行去耦时尽量缩短回流回路,必要时使用过孔(vias)接地。
  • 机械应力敏感性:小尺寸 MLCC 对焊盘尺寸、掩膜孔形、焊膏量及回流温度敏感,过大的机械或热应力可能造成裂纹,建议参照厂商封装与装配指南设计焊盘与组装工艺。
  • 存储与取放:0201 尺寸极小,贴装与搬运需配合高精度贴片机与合适的吸嘴;避免振动、挤压或重复碰撞。

五、选型与设计建议

  • 精度优势:±2% 的精度令其非常适合对容值敏感的滤波与谐振电路。若应用允许更大公差,可选择更低成本规格;若需更高温度或更大电压裕度,请参考村田的其他系列或更大封装。
  • 电压裕量:额定 50 V,适合中低压线路。若电路中存在更高直流偏置或可能的高瞬态电压,应选用更高额定电压的器件。
  • EMC 与滤波:在 EMC 去耦设计中,12 pF 容值和 C0G 特性可用于高频段抑制;搭配大容量陶瓷(如 X7R 系列)可实现宽带去耦。
  • 验证与测试:在量产前,建议对样片进行回流可靠性、温度循环与电气参数随温度/偏压的测试,以确认在目标工况下性能满足要求。

六、物料管理与采购建议

  • 备货与交期:0201 小尺寸器件在高速消费电子中需求量大,建议在设计锁定后合理备货并关注供应链波动。
  • 备选方案:如需替代,可在同规格 C0G、12 pF、±2%、50 V、0201 封装中比较其他主流厂商产品的寄生参数(ESL/ESR)、热稳定性和长期可靠性。
  • 查阅资料:在最终设计前,务必下载并参照村田官方数据手册与封装/焊盘推荐(land pattern)文件,确保生产过程与器件性能的一致性。

结语:GRM0335C1H120GA01D 以其高稳定性、低损耗与小封装的组合,适合对体积与性能均有严格要求的高频与精密电子设计。合理的 PCB 布局与可靠的焊接工艺是发挥其性能与可靠性的关键。