型号:

GRM155R61C475KE15D

品牌:muRata(村田)
封装:0402
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
GRM155R61C475KE15D 产品实物图片
GRM155R61C475KE15D 一小时发货
描述:片式陶瓷电容 4.7uF ±10%
库存数量
库存:
23487
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.131
10000+
0.119
产品参数
属性参数值
容值4.7uF
精度±10%
额定电压16V

GRM155R61C475KE15D 产品概述

一、产品简介

GRM155R61C475KE15D 为村田(muRata)出产的片式多层陶瓷电容(MLCC),标称容量 4.7 µF,公差 ±10%,额定电压 16 V,封装为 0402(公制 1005,约 1.0 × 0.5 mm)。该型号在小体积下实现较高容值,适合空间受限的移动终端与高密度电路板应用。

二、主要特性

  • 容量:4.7 µF ±10%
  • 额定电压:16 V DC
  • 封装:0402(约 1.0 × 0.5 mm)
  • 结构:多层陶瓷(MLCC),低等效串联电阻(ESR),快速响应特性
  • 常见介质类型为稳定型陶瓷(如 X5R/X7R),但具体介质与温度特性请以厂家规格表为准

三、典型应用场景

  • PCB 层级去耦与旁路(稳压器输入/输出、PMIC、MCU 近旁去耦)
  • 移动设备、笔记本、可穿戴设备与 IoT 模组的电源旁路
  • 高频噪声滤除与瞬态响应优化的场合

四、使用建议与注意事项

  • DC Bias 与温度依赖:高介质电容在施加偏压时会出现容量下降,0402 大容量件在 16 V 下的有效容量可能明显低于标称值,须参考厂商 DC bias 曲线并在设计时预留裕量。
  • 布局:尽量靠近被去耦器件的电源引脚放置,缩短回流路径以提高去耦效果。
  • 焊接与可靠性:推荐采用回流焊工艺并参照村田的焊接回流曲线;避免 PCB 弯曲和强机械应力,以降低裂纹与失效风险。
  • 温度范围与寿命:请确认目标介质的温度特性和寿命参数以满足长期工作要求。

五、选型提示

  • 若电路对有效容量在偏压下要求较高,考虑提高额定电压或改用体积更大的封装/不同介质的电容。
  • 对于高频滤波与低 ESR 需求,关注阻抗-频率曲线与等效串联电阻数据。
  • 最终采购前建议下载并确认村田官方规格书(datasheet)以获取 DC bias、温度系数、漏电流、耐焊接温度和封装尺寸等完整参数。

如需,我可以为您查找并摘录该型号的关键规格表数据或给出 PCB 封装建议。