型号:

GRT188C81C106ME13D

品牌:muRata(村田)
封装:0603
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
GRT188C81C106ME13D 产品实物图片
GRT188C81C106ME13D 一小时发货
描述:Capacitor: ceramic; MLCC; 10uF; 16V; X6S; ±20%; SMD;
库存数量
库存:
3984
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.257
4000+
0.227
产品参数
属性参数值
容值10uF
精度±20%
额定电压16V
温度系数X6S

GRT188C81C106ME13D 产品概述

一、产品简介

GRT188C81C106ME13D 为村田(muRata)系列表面贴装多层陶瓷电容(MLCC),额定参数为 10 μF、额定电压 16 V、公差 ±20%、温度特性 X6S,封装尺寸为 0603(公制 1608)。该器件采用高介电常数陶瓷材料制成,适用于对体积和频率响应有严格要求的小型化电路。

二、主要性能要点

  • 电容值:10 μF,公差 ±20%(标注容差使得设计时需考虑容差范围)
  • 额定电压:16 V,适用于常见单电源和低压电源滤波场合
  • 温度特性:X6S(宽温区稳定性,适用于较宽温度范围的工作环境)
  • 封装:0603(SMD),适合高密度布板和自动贴装生产
  • 特性:MLCC 具有低等效串联电阻(ESR)与低等效串联电感(ESL),在高频去耦与旁路性能优异

三、典型应用场景

  • 数字/模拟电源去耦与旁路(CPU、PMIC、驱动器等局部滤波)
  • 电源稳压器输出端滤波与储能
  • 移动设备、通信模组、工业控制与消费电子中空间受限的滤波点
  • 高速信号链路的局部去耦与噪声抑制

四、设计与使用注意事项

  • DC-bias(直流偏压)效应:高介电常数陶瓷在施加直流偏压时实际电容会显著减小,尤其在小尺寸封装与高容量组合下更明显。设计时应在目标工作电压下测量实际电容,必要时选用更大额定电压或更大封装以满足容量需求。
  • 热与机械应力:0603 尺寸器件对焊接和PCB弯曲较为敏感,焊盘设计、回流温度曲线与夹持工艺需严格控制,避免应力导致裂纹或失效。
  • 回流焊工艺:遵循厂商推荐的回流温度曲线(峰值温度与升降速率),并注意防潮保管与必要的干燥处理以减少焊接缺陷。
  • 寿命与可靠性:陶瓷电容无极性,长期可靠性高,但应遵循制造商关于老化、温度循环与振动的测试规范以评估在目标应用中的表现。

五、封装与采购参考

  • 封装形式:0603(SMD),适用于标准贴片机与回流焊流程
  • 包装方式:常见为卷装(Tape & Reel),便于自动化生产
  • 型号与品牌:GRT188C81C106ME13D(村田 muRata)——订购时请核对完整料号与批次,以获取最新的性能说明书与封装图

总结:GRT188C81C106ME13D 是一款适合高密度电路板、具有良好高频去耦能力的 10 μF MLCC。设计时需重点关注 DC-bias、封装力学与焊接工艺,以确保在目标电压与温度范围内满足电容与可靠性要求。若需替代件或更详细的电气/封装图纸,可提供具体应用场景以便推荐更合适型号。