型号:

BST23A152V

品牌:BORN(伯恩半导体)
封装:SOT-23
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BST23A152V 产品实物图片
BST23A152V 一小时发货
描述:保护器件 BST23A152V
库存数量
库存:
3999
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.221
3000+
0.195
产品参数
属性参数值
极性双向
反向截止电压(Vrwm)15V
钳位电压30V
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)300W@8/20us
击穿电压16.7V
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容40pF;25pF

BST23A152V 产品概述

一、产品简介

BST23A152V 是 BORN(伯恩半导体)推出的一款单通道双向瞬态电压抑制器(ESD 抑制器),采用 SOT-23 封装,针对工业与消费电子设备的输入/输出接口提供高效的静电与脉冲浪涌保护。器件在常态工作电压下保持高阻态,在遭遇瞬态冲击时迅速导通,把能量安全泄放至地线,保护后端电路。

二、主要电气参数

  • 极性:双向(对称钳位,适用于双向或交流耦合信号线)
  • 反向截止电压 Vrwm:15 V(连续工作电压上限)
  • 击穿电压:16.7 V(器件进入导通区的典型电压)
  • 钳位电压:30 V(在峰值脉冲下的典型钳位电压)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:10 A @ 8/20 μs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:300 W @ 8/20 μs
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(常温典型)
  • 结电容 Cj:典型 25 pF,最大可达 40 pF(与信号完整性相关)
  • 通道数:单路;工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 符合标准:IEC 61000-4-2(静电放电),IEC 61000-4-4(快速瞬变/脉冲)

三、产品特点与优势

  • 双向结构,支持正负极瞬态,适合差分或耦合信号线保护;
  • 低漏电流,适用于对静态功耗敏感的系统;
  • 低结电容(25–40 pF),在大多数高速信号线(如串行总线、音视频接口等)中可维持较好信号完整性;
  • SOT-23 小封装,便于表面贴装,节省 PCB 空间;
  • 满足 IEC ESD/EFT 要求,可靠性高,适合工业级环境。

四、典型应用场景

  • USB、HDMI、音频接口、数据总线和各类通信接口的输入端保护;
  • 工业控制器、人机界面(HMI)、仪表和传感器接口;
  • 汽车电子中的辅助信号线与外部连接点(须注意汽车级认证要求);
  • 一般消费电子及便携设备的外部引脚保护。

五、封装与布局建议

  • 建议将 BST23A152V 尽量靠近被保护的连接器或外部引脚布置,减小寄生电感与阻抗;
  • 器件的地端应有低阻抗的回流路径,使用充足的地铜与短接地回路;
  • 对于高能量脉冲场合,考虑在输入端增加串联阻抗或使用多级保护以分散能量;
  • SOT-23 封装易于自动贴装,注意回流焊温度工艺与静电防护措施。

六、可靠性与注意事项

  • SOT-23 封装的瞬态能量承受能力有限,虽然可承受单次 8/20 μs 的 10 A 冲击,但频繁或更高能量冲击会降低寿命;
  • 对于对信号完整性要求极高的应用(如高速差分对),需评估 25–40 pF 电容对带宽的影响;
  • 在选型时确认 Vrwm(15 V)满足系统最大直流偏置,避免误触发或长期应力。

总结:BST23A152V 以小尺寸、低电容、较高脉冲吸收能力和双向保护特性,适用于对ESD/EFT保护有严格要求且空间受限的应用场景。根据具体系统的能量级别与信号特性,可通过合理的 PCB 布局和多级保护策略实现最佳防护效果。