JMK325B7476KMHPR 产品概述

一、产品简介

JMK325B7476KMHPR 是 Taiyo Yuden（太诱）系列的片式多层陶瓷电容（MLCC），标称容值 47 μF、容差 ±10%、额定电压 6.3 V，介质为 X7R，封装常用称为 1210（公制 3225，约 3.2 × 2.5 mm）。该型号在消费电子与电源滤波领域常用，属于高容值、低电压的陶瓷电容件。

二、主要规格要点

• 容值：47 μF（标称）
• 容差：±10%（25°C 测量）
• 额定电压：6.3 V DC
• 介质：X7R（工作温度范围 -55°C 至 +125°C，温度变化下电容量总体变化限于 ±15%）
• 封装：1210（占板面积较大，适合需要较大容值的场合）
• 极性：无（非极性，适合任意方向焊接）

三、性能与特性

• 高频特性：MLCC 本身具有极低的 ESR 与 ESL，适合高频去耦与抑制瞬态干扰。
• 电压依赖性（DC-bias）：X7R 高介电常数材料在施加直流偏置时电容量会明显下降，接近额定电压时实际有效电容可能低于标称值，设计时需预留裕量或做实测验证。
• 老化与稳定性：Class II 陶瓷（X7R）存在老化现象，电容值随时间呈对数下降，典型为每十倍时间量级下降若干百分点；高温回流或烘烤可部分恢复。
• 可靠性：贴片工艺兼容主流回流焊流程，但需按厂商建议控制峰值温度与回流次数以保证可靠性。

四、典型应用场景

• 电源去耦与储能（智能手机、平板、笔记本主板的低压电源轨）
• DC-DC 转换器输出滤波与旁路
• 消费类电子、便携设备、车载电子（非高压车规）低压滤波场合
• 与小容值陶瓷并联以扩展频率响应，改善瞬态响应

五、设计建议与注意事项

• DC-bias 评估：在设计电路时，应按实测条件（实际工作电压、温度）评估有效电容，必要时选择额定电压更高或更大尺寸的器件。
• 布局：尽量靠近电源引脚放置并缩短引线以降低寄生感抗；对于大尺寸封装注意焊盘与过孔布局以减少热应力集中。
• 机械应力：陶瓷电容对弯曲与机械冲击敏感，避免在板边缘或受力点处焊接，推荐使用适当的焊膏量与焊接工艺。
• 并联配置：为兼顾低频储能与高频去耦，可与低 ESR 的铝电解或固态电容并联使用。

六、采购与替代

JMK325B7476KMHPR 为 Taiyo Yuden 的标准编码型号，购买时关注包装（卷带/盘）与批次；如需提升在高偏压下的有效容量，可考虑更高额定电压或更大封装的同系列产品。选型时建议参考厂家 Datasheet 获取详细 DC-bias、温漂、封装尺寸与回流曲线数据。

总结：此型号在板上可提供较大的 47 μF 容值、良好的高频特性与常温稳定性，适合中低压电源轨的去耦与滤波，但需重点关注 DC-bias、老化及机械应力带来的实际性能变化。