THP210DGKR 产品概述

一、产品简介

THP210DGKR 是 TI（德州仪器）推出的一款单路、高精度放大器 IC（SOC），采用 VSSOP-8（3×3 mm）小封装，面向精密测量与数据采集前端设计。该器件以超低失调、极低噪声和宽电源范围为特点，适用于对精度与稳定性有较高要求的系统。

二、主要规格亮点

• 放大器通道：单路
• 共模抑制比（CMRR）：140 dB（极高的共模干扰抑制能力）
• 输入偏置电流（Ib）：200 pA（低偏置，适合高阻抗传感器）
• 输入失调电压（Vos）：10 µV（极低失调）
• 输入失调电压温漂（Vos TC）：0.1 µV/°C（温度稳定性优异）
• 输入失调电流（Ios）：0.2 nA；Ios 温漂：1 pA/°C
• 增益带宽积（GBP）：9.2 MHz
• 压摆率（SR）：15 V/µs
• 噪声密度：3.7 nV/√Hz @ 1 kHz（低噪声，适合低频精密测量）
• 输出电流：31 mA（可驱动常见负载）
• 静态电流（Iq）：950 µA（中等功耗）
• 稳定时间（设定/复位/阶跃响应时间）：1 µs
• 输出类型：差分输出
• 工作温度范围：-40 °C ~ +125 °C
• 电源范围：
  • 单电源：3 V ~ 36 V
  • 双电源：-18 V ~ -1.5 V 或 1.5 V ~ 18 V
• 最大电源宽度（Vdd–Vss）：36 V

三、适用场景

• 精密传感器前端（桥式传感器、压力、称重传感器）
• 数据采集系统（ADC 驱动、滤波与差分驱动）
• 工业控制与过程测量（高共模干扰环境）
• 医疗电子（低噪声、低失调要求的模拟通道）
• 便携式仪器与电池供电系统（宽电源范围灵活适配）

四、应用建议与设计注意事项

• 电源与旁路：尽量在电源脚靠近封装放置高频旁路电容（例如 0.1 µF + 10 µF），以保证稳定性和抑制供电噪声。
• 输入保护：对于高阻抗或带有高瞬态电压的输入，建议加入限流或钳位元件以保护超低偏置输入结构。
• PCB 布局：为发挥 140 dB CMRR 的优势，应保证差分信号对称布线、避免地环路，必要时使用地隔离或星形接地。
• 温度漂移补偿：Vos TC 仅 0.1 µV/°C，但在极高精度应用中仍需考虑长期漂移与校准策略。
• 差分输出驱动：器件差分输出适合直接驱动差分 ADC 或差分采集放大器，可减少后端共模干扰对测量精度的影响。

五、封装与选型提示

• 封装：VSSOP-8（3×3 mm），适合空间受限的工业与便携设备。
• 功耗考量：静态电流约 950 µA，在电池供电系统应评估待机功耗与热管理。
• 驱动能力：31 mA 输出电流可满足一般差分负载，但对于大电流负载或长线驱动需加缓冲级。

六、小结

THP210DGKR 是一款定位于高精度测量前端的单路放大器，具有极低失调与噪声、优秀的温度稳定性和很宽的电源适应范围。其差分输出和高 CMRR 特性使其在工业、医疗与数据采集等需抗干扰与高精度的应用中表现出色。设计时注意电源去耦、输入保护与对称布线，即可充分发挥该器件的性能优势。