型号:

C3216X7R1V106KT000E

品牌:TDK
封装:1206
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
C3216X7R1V106KT000E 产品实物图片
C3216X7R1V106KT000E 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 35V ±10% 10uF X7R
库存数量
库存:
3635
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.855
2000+
0.788
产品参数
属性参数值
容值10uF
精度±10%
额定电压35V
温度系数X7R

C3216X7R1V106KT000E 产品概述

一、产品简介

TDK C3216X7R1V106KT000E 是一款表面贴装多层陶瓷电容(MLCC),规格为 10 µF ±10%,额定电压 35 V,介质为 X7R,封装为 1206(公制代号 C3216,对应约 3.2 mm × 1.6 mm)。该器件在同体积条件下提供较高电容值,适合对体积和电容密度有要求的电子产品。

二、主要电气参数

  • 电容量:10 µF(标称)
  • 容差:±10%(K)
  • 额定电压:35 V DC
  • 介质类型:X7R(温度范围 -55°C 至 +125°C)
  • 封装尺寸:1206(约 3.2 × 1.6 mm)
  • 封装形式:贴片多层陶瓷结构,适用于自动贴装与回流焊工艺

三、性能特点

  • 高容值:在 1206 封装下实现 10 µF,适用于要求高电容密度的电源去耦与滤波场合。
  • 温度稳定性:X7R 介质在 -55°C 至 +125°C 区间内具有中等温漂,适用于通用电源与模拟电路。
  • 低等效串联电阻/电感(ESR/ESL):有利于高频去耦和瞬态响应。
  • 直流偏置与老化效应:X7R 属介电常数较高的氧化物陶瓷,工作时会出现一定的 DC-bias 导致实际电容下降,同时存在老化现象,具体数值应参照 TDK 数据手册进行评估。

四、典型应用场景

  • 开关电源输入/输出滤波与去耦
  • 功率与模拟电路的旁路与稳定化
  • 电源瞬态抑制和储能补偿
  • 工业、通信及消费电子等需要中高电容值的 SMD 设计

五、选型与设计注意事项

  • 考虑 DC-bias:在接近额定电压工作时电容值会下降,设计时应留有裕量或选择更高额定电压的型号。
  • 温度影响:X7R 在极限温度下电容量会发生变化,需评估工作环境温度对电容的影响。
  • 封装与贴装:1206 体积适中,但对焊点与 PCB 布局敏感,建议尽量靠近被去耦器件,短引线、宽焊盘以降低寄生阻抗。
  • 机械应力:贴片陶瓷电容对弯曲和热应力敏感,布板与加工时避免对焊盘施加过大应力。

六、可靠性与工艺建议

  • 焊接工艺:兼容无铅回流焊,推荐遵循 TDK 提供的回流曲线规范以避免热应力损伤。
  • 清洗与涂覆:在采用清洗或覆膜时,确认工艺不会引起长期应力或化学侵蚀;必要时参照制造商建议的清洗和固化流程。
  • 质量与合规:TDK 正规产品通常符合无铅与 RoHS 要求,最终合规性与可靠性请以原厂数据表和出厂证书为准。

总结:C3216X7R1V106KT000E 在 1206 封装中提供较大电容和良好综合性能,适用于多种电源滤波与去耦场合。设计时应重点关注直流偏置、温度特性及贴装工艺,以保证电路的稳定性与可靠性。若需更详细的电气特性曲线、DC-bias 曲线或回流焊规范,建议参考 TDK 官方数据手册。