
SPM10065VT-6R8M-D 为 TDK 推出的屏蔽式绕线功率电感器,标称电感值 6.8 µH,公差 ±20%。器件为表面贴装(SMD),外形尺寸约 10.5 × 10 mm。额定电流(Irated)10.2 A,饱和电流(Isat)15.8 A,直流电阻(DCR)仅 13.3 mΩ。器件通过车规级 AEC-Q200 认证,适合恶劣环境与汽车电子应用。描述中标注“非标准”,采购时请确认是否为特殊/定制型号。
该器件为屏蔽绕线结构,屏蔽层能有效抑制漏磁和降低 EMI,适合靠近敏感信号/高频开关器件的布局。绕线工艺保证在直流偏置下电感稳定性较好,较高的饱和电流(15.8 A)使其在大电流开关电源中保持稳定性能。低 DCR 有利于降低 I²R 损耗,提高效率并减小温升。
功耗示例(近似):在额定电流 10.2 A 下,导通损耗 P ≈ I²·R ≈ 10.2²×0.0133 ≈ 1.38 W;若工作电流为 5 A,则损耗约 0.33 W;接近饱和电流时(15.8 A)损耗可达约 3.32 W。建议在实际设计中根据散热能力对电流进行适当降额(通常设计工作电流取额定的 70%—80% 以控制温升),并做实际温升验证。
如需本型号的详细电气曲线(L vs. I、频率响应)、封装图或参考电路布局图,可告知用途与工作点,我可继续提供针对性设计建议。