型号:

SPM10065VT-6R8M-D

品牌:TDK
封装:SMD,10.5x10mm
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
SPM10065VT-6R8M-D 产品实物图片
SPM10065VT-6R8M-D 一小时发货
描述:6.8µH-屏蔽-绕线-电感器-10.2A-13.3-毫欧-非标准-
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最小包:500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.27
500+
4.08
产品参数
属性参数值
电感值6.8uH
精度±20%
额定电流10.2A
饱和电流(Isat)15.8A
直流电阻(DCR)13.3mΩ
车规等级AEC-Q200

SPM10065VT-6R8M-D — TDK 6.8µH 屏蔽绕线功率电感器 概述

一、产品要点

SPM10065VT-6R8M-D 为 TDK 推出的屏蔽式绕线功率电感器,标称电感值 6.8 µH,公差 ±20%。器件为表面贴装(SMD),外形尺寸约 10.5 × 10 mm。额定电流(Irated)10.2 A,饱和电流(Isat)15.8 A,直流电阻(DCR)仅 13.3 mΩ。器件通过车规级 AEC-Q200 认证,适合恶劣环境与汽车电子应用。描述中标注“非标准”,采购时请确认是否为特殊/定制型号。

二、结构与特性

该器件为屏蔽绕线结构,屏蔽层能有效抑制漏磁和降低 EMI,适合靠近敏感信号/高频开关器件的布局。绕线工艺保证在直流偏置下电感稳定性较好,较高的饱和电流(15.8 A)使其在大电流开关电源中保持稳定性能。低 DCR 有利于降低 I²R 损耗,提高效率并减小温升。

三、典型电参数与热损耗估算

  • 电感:6.8 µH ±20%
  • 额定电流:10.2 A
  • 饱和电流:15.8 A
  • 直流电阻:13.3 mΩ

功耗示例(近似):在额定电流 10.2 A 下,导通损耗 P ≈ I²·R ≈ 10.2²×0.0133 ≈ 1.38 W;若工作电流为 5 A,则损耗约 0.33 W;接近饱和电流时(15.8 A)损耗可达约 3.32 W。建议在实际设计中根据散热能力对电流进行适当降额(通常设计工作电流取额定的 70%—80% 以控制温升),并做实际温升验证。

四、应用场景

  • 汽车级 DC-DC 降压(buck)/ 升压(boost)转换器输出滤波
  • 电源模块与 POL(point-of-load)滤波器
  • 车载娱乐、ADAS、动力电子前端的电感滤波与储能
  • LED 驱动与高电流开关电源应用

五、PCB 布局与可靠性建议

  • 贴片封装应保证足够焊盘面积与导热铜箔,必要时在器件下方与周围开设热铜铺和通孔以提升散热。
  • 屏蔽电感靠近开关器件可减小印制板辐射,但仍需留出一定间隙以避免热耦合影响寿命。
  • 在高电流路径上尽量缩短走线、加宽铜线并多用过孔以降低寄生阻抗。
  • 由于为 AEC‑Q200 车规等级,适用于宽温与振动环境,但仍建议在项目初期获取完整可靠性和温升测试数据。

六、选型与采购注意

  • ±20% 容差对滤波截止频率有明显影响,若对精度要求高请考虑并联/并用或与程序一起调整。
  • 标注“非标准”型号可能为特殊系列或定制规格,采购时应与供应商确认最小订购量、交期及完整数据手册。
  • 若需更低 DCR、更小体积或更严格电感容差,可与 TDK 或代理商沟通替代型号和定制方案。

如需本型号的详细电气曲线(L vs. I、频率响应)、封装图或参考电路布局图,可告知用途与工作点,我可继续提供针对性设计建议。