LM293ADGKR 产品概述

一、产品简介

LM293ADGKR 是德州仪器（TI）的一款双路比较器，采用 VSSOP-8 封装，面向低功耗和广泛电源电压应用场景。器件为开漏输出结构，兼容 TTL 与 CMOS 逻辑电平，适用于门限检测、欠压/过压保护、信号整形与电平转换等应用。

二、主要参数（基于给定信息）

• 比较器通道数：双路
• 输入失调电压 (Vos)：2 mV（典型）
• 输入偏置电流 (Ib)：25 nA
• 输入失调电流 (Ios)：3 nA
• 传播延迟 / 响应时间 (tpd / tr)：1.3 μs
• 静态电流 (Iq)：400 μA
• 输出类型：开漏（open-drain），TTL / CMOS 兼容
• 单电源工作范围：2 V ～ 36 V（最大电源电压差 36 V）
• 工作温度范围：-25 ℃ ～ +85 ℃
• 封装：VSSOP-8
• 品牌：TI（德州仪器）

三、功能与特性

• 开漏输出便于与外部拉高电阻结合，实现与多种电平和总线的兼容；适合作为开集电极或开漏输出的逻辑接口。
• 低输入失调电压（2 mV）有利于提高比较精度，适合低电压门限检测和小信号比较。
• 低输入偏置电流和失调电流（25 nA / 3 nA）减少对高阻抗传感器或电路的影响。
• 1.3 μs 的典型传播延迟/响应时间在多数通用控制与检测场景中能提供足够速度，同时保持低功耗（静态电流 400 μA）。

四、典型应用场景

• 电池电量监测与欠压/过压检测
• 门限检测器、窗口比较器、电平转换器
• 工业控制与传感器接口（高阻抗传感器）
• 低功耗便携设备中的监控与过流/过压保护电路
• 信号整形与脉冲检测

五、设计与使用建议

• 由于输出为开漏结构，必须外接上拉电阻；上拉电压应与目标逻辑电平或系统电源一致。上拉电阻取值需在速度与功耗之间权衡——较小电阻提高上升速度但增加功耗。
• 注意输入共模电压范围与实际电路（描述中提及 1 V ～ 18 V 的范围，请以 TI 官方数据手册为准），在输入接近电源轨时性能可能受限，设计时请参考完整规格表。
• 当用于高精度门限时，考虑温漂与失调校准；环境温度变化会影响 Vos。
• 电源滤波与去耦：靠近器件放置旁路电容，抑制电源噪声对比较器触发边沿的影响。
• 布局上，模拟输入与开关噪声源应尽量隔离，尤其在高阻抗输入路径中避免噪声耦合。

六、封装与可靠性

• VSSOP-8 封装体积小，适合空间受限的 PCB 布局。
• 器件工作温度范围为 -25 ℃ ～ +85 ℃，适合多数民用与工业级常温场合；在极端温度或汽车级应用中，需选用相应等级器件或查阅 TI 的扩展温度型号与可靠性参数。

七、总结

LM293ADGKR 提供双路、低失调、低偏流、开漏输出且宽电源范围的比较解决方案，适用于多类门限检测与监测电路。其低功耗与良好逻辑兼容性使其在便携设备与工业控制领域具有较高的实用价值。最终设计与参数验证请以 TI 官方数据手册为准，并在最终应用中完成电气与环境测试验证。