RUILON ES2D 产品概述

RUILON（瑞隆源）ES2D 是一款独立式快恢复/高效率整流二极管，采用 SMB 封装，面向中低功率开关电源、整流及保护电路。其主要电气参数包括：正向压降 Vf = 0.95 V（@1 A）、直流反向耐压 Vr = 200 V、额定整流电流 2 A、反向电流 Ir = 5 μA（@200 V）、反向恢复时间 Trr = 35 ns、非重复峰值浪涌电流 Ifsm = 50 A，工作结温范围 -55 ℃ ~ +150 ℃。以下对该器件的特性、应用和选型要点进行说明，便于工程上评估与使用。

一、核心特性概述

• 正向压降较低：Vf = 0.95 V（@1 A），在导通状态下降低导通损耗，有利于提高整流效率并减小发热。
• 快恢复特性：Trr = 35 ns，适合开关频率较高的电源应用，可有效减少因反向恢复引起的开关损耗与电磁干扰。
• 中等反向耐压：Vr = 200 V，适用于220 VAC二次侧整流或多数中低电压开关电源场合。
• 低漏电流：Ir = 5 μA（@200 V），关断状态能保持较小的漏损，利于节能与待机性能。
• 峰值浪涌能力：Ifsm = 50 A（非重复峰值），能承受短时浪涌（如充电、启动瞬态）但不适合作为长期过载工作方式。
• 宽温度范围：工作结温 -55 ℃ 到 +150 ℃，适应性强，可用于工业类环境。

二、典型应用场景

• 开关电源（SMPS）：二次侧整流或同步整流替代，得益于较小的 Vf 和较快的 Trr，可降低整机开关与导通损耗。
• 桥式整流：适用于中小功率交流到直流的整流模块，尤其是对效率和封装空间有要求的场合。
• 自由轮回/续流二极管：在半桥、全桥等功率开关器件旁作快速续流，控制反向恢复对 MOSFET/IGBT 的应力。
• 充电器、LED 驱动、适配器、工业控制电源等需要在有限体积内兼顾效率与耐压的场景。
• 极性保护与反向电压保护：在电源输入端防止反接或瞬态反向压力。

三、电气性能应用注意事项

• 导通损耗估算：以 1 A 工作电流为例，导通损耗约为 P = Vf × I = 0.95 W，设计散热时需考虑此类连续损耗；在 2 A 连续整流额定下，实际 Vf 可能高于标称 1 A 数据，建议按 worst-case 余量设计。
• 开关损耗与 Trr：Trr = 35 ns 表明在几个百 kHz 及以下频率的开关应用中，反向恢复产生的附加损耗和电压尖峰可控；在更高频率下应评估恢复能量对器件和驱动器件的影响，并考虑配合RC吸收或缓缓开关技术。
• 漏电流与温漂：Ir = 5 μA 为典型静态指标；在高温时漏电流会增加，若对无功耗待机有严格要求，应在高温工况下核算漏电和自放电损耗。
• 浪涌能力：Ifsm = 50 A 为非重复短时脉冲能力，并非长期工作电流，遇到频繁浪涌或未知冲击时应采取前端限流或更高规格器件。

四、封装与热管理

• SMB 封装特点：体积小、适合表面贴装，易于自动化贴装生产；热阻相对较高，连续大电流或较高工作温度时需要 PCB 散热设计。
• PCB 布局建议：加大焊盘铜箔面积，必要时在器件下方或两侧增加热过孔与散热层；避免热源直邻，预留良好通风空间。
• 结温管理：器件额定结温上限 150 ℃，设计时需保证在最大工作电流和环境温度下结温不会超过该限值，建议考虑电流降额和热阻预算。

五、选型与替换建议

• 若应用对开关损耗敏感且工作电压在 200 V 以内，ES2D 是性价比高的选择；若需要更低正向压降或更高频率性能，可考虑肖特基或超快恢复（二极管 Trr 更短）替代，但需权衡反向耐压与漏电流。
• 对于需承受持续大电流或更高浪涌能力的场合，应选择更大封装或更高电流等级的器件以保证可靠性。

六、焊接与存储提示

• 采用常规 SMT 工艺进行回流焊接，遵循焊接温度对 SMB 封装的通用限制与制造商回流曲线建议（如不确定，向供应商确认具体回流参数）。
• 存储与搬运按照一般半导体器件规范处理，防潮防污染、避免机械冲击；如对 ESD 敏感性关注，建议在 ESD 控制环境下操作。

总结：RUILON ES2D 是一款面向工业和消费电子中等功率场景的快恢复整流二极管，结合 200 V 耐压、低正向压降与较短反向恢复时间，能在效率与成本之间取得平衡。实际设计时，应以系统工作电流、开关频率、热设计和浪涌情况为依据进行电气与热量预算，确保长期可靠运行。