SDM40E20LSQ-7-F 产品概述

SDM40E20LSQ-7-F 是 DIODES（美台）推出的一款肖特基整流二极管，采用 SOT-23-3 封装，内部为“一对串联式”结构，针对低压差、快速整流和空间受限的便携式电源设计优化。整对参数在中小电流工作点下具有较低的正向压降和快速响应特性，适合移动电源、充电器、降压模块和电源路径管理等场景。

一、主要特性

• 封装：SOT-23-3（小型化、便于贴片组装）
• 配置：1 对串联式（厂方给出的参数为整对测量结果）
• 正向压降：Vf = 310 mV @ If = 100 mA（低压降，有利于提高能效）
• 直流反向耐压：Vr = 20 V
• 额定整流电流：If(AV) = 400 mA（持续工作能力）
• 反向电流：Ir = 250 μA @ Vr = 20 V（室温下典型值，温升时会增加）
• 非重复峰值浪涌电流：Ifsm = 2 A（瞬态冲击承受能力）
• 品牌：DIODES（美台）

二、电气性能与使用限制

• 正向压降在 100 mA 时仅 0.31 V，适合对导通损耗敏感的低压电源路径或输出整流应用。
• 反向耐压 20 V，适用于低电压系统；不推荐用于超过额定 Vr 的环境。
• 反向漏电在 20 V 时约 250 μA，若用于高阻态偏置或高绝缘要求场合，需要考虑漏电带来的影响；环境温度升高时漏电将显著上升，应在热设计中留有裕量。
• 峰值浪涌 2 A 表明器件能承受短时冲击，但长期或重复冲击会降低可靠性，应避免频繁超出额定整流电流的使用。

三、典型应用

• 低压降整流：开关电源输出整流、输出滤波后整流头。
• 电源路径控制 / OR’ing：用于电源反向保护或多电源自动切换场景，减少压降和功耗。
• 电池充放电管理：对便携设备电池供电路径进行低损耗保护。
• 多用途保护电路：反极性保护、快速钳位与吸收短时浪涌。

四、设计与 PCB 布局建议

• 贴片位置应尽量缩短输入、输出的走线长度，减少串联寄生电阻与电感，以发挥低 Vf 优势。
• 由于 SOT-23-3 封装面积有限，散热能力受限，长时间靠近 If(AV) 极限工作时建议考虑热源隔离或增加铜箔散热区。
• 对于需要极低漏电的应用，建议在系统级上增加并联旁路或上电检测逻辑，以应对温度上升带来的漏电增加。
• 在电源切换和浪涌可能出现的场合，配合合适的输入滤波或限流器件，避免频繁触发 Ifsm 限制。

五、可靠性与封装信息

• 封装：SOT-23-3，适合自动贴片回流焊装配。
• 长期可靠性受温度、浪涌和反向偏压影响，建议在实际应用中参考 DIODES 官方数据手册的热特性与寿命曲线，按厂方建议进行温度/电流退让。
• 在回流焊和焊接工艺上，应遵循元件的最大峰值回流温度与时间限制，避免因过热导致性能退化。

六、采购与替代建议

• 订购型号：SDM40E20LSQ-7-F，品牌 DIODES（美台），封装 SOT-23-3。
• 若需更高反向耐压或更低漏电，可在同类肖特基产品中选择 Vr 更高或采用不同工艺的器件；若需更大整流电流则选择功率封装或并联方案。
• 选型时请核对完整数据手册中的温度依赖特性、动态阻抗曲线及封装引脚定义，确保与系统接口兼容。

总结：SDM40E20LSQ-7-F 在小尺寸 SOT-23-3 封装下提供了低正向压降与中等整流能力，适合空间受限且对导通损耗敏感的低压电源应用。合理的热设计与电路保护能显著提升器件在实际系统中的可靠性与寿命。若需更详细的电气特性、温度曲线和封装图，请参考 DIODES 官方数据手册。