CBW100505U101T 产品概述

一、产品简介

CBW100505U101T 为风华（FH）系列贴片磁珠（ferrite bead），封装为0402（公制1005），面向中高频电磁干扰（EMI）抑制与电源/信号线滤波。标称阻抗为100Ω @ 100MHz，适合体积受限且需在MHz至数百MHz频段抑制干扰的应用场景。

二、主要参数

• 阻抗（Z）：100Ω @ 100MHz（标称，误差 ±25%）
• 直流电阻（DCR）：200 mΩ（标称，公差 ±25%）
• 额定电流：资料中存在450 mA与900 mA的不同记录，请以最终供应商出货规格为准；本文按900 mA 额定值进行性能示例说明
• 通道数：1（单端）
• 工作温度：-55 ℃ ~ +125 ℃
• 封装：0402（约1.0 × 0.5 mm）
• 品牌：FH（风华）

三、性能特点

• 中高频抑制效果明显：在100 MHz附近提供约100Ω 的阻抗，能有效衰减射频干扰成分。
• 低直流电阻：200 mΩ 的DCR在保证滤波效果的同时，将直流压降和功耗控制在较低范围。
• 小型化封装：0402 封装便于高密度布局，适合移动设备、无线和消费电子等体积受限设计。
• 宽温域稳定性：-55 ℃ 至 +125 ℃ 的额定温度范围，可靠性满足工业级要求。

四、典型应用

• 移动终端、蓝牙/Wi‑Fi 射频模块的电源线和信号线EMI抑制。
• 主板和模块间的电源隔离与高频噪声滤除。
• 摄像头模组、传感器和低功耗无线设备的干扰抑制与EMC 优化。
• 汽车电子、工业控制等需宽温适应的场景（确认额定电流和温漂后使用）。

五、选型与使用建议

• 电流裕量：若按900 mA 额定电流计算，直流压降约为 V = I × R = 0.9 A × 0.2 Ω = 0.18 V，功耗约 P = I^2 × R = 0.162 W。如系统对压降敏感，应选择更低DCR或高额定电流规格。
• 滤波需求：若目标频段低于100 MHz，可参考厂商频率特性曲线（Z‑f）选择更合适阻抗点。
• 布局注意：磁珠应尽量靠近噪声源或器件电源引脚放置，短走线、避免绕过地平面，以发挥最佳抑制效果。
• 温升与可靠性：在高电流或高环境温度下，请验证实际温升并参照供应商的热特性和寿命评估。

六、注意事项

• 额定电流信息可能存在差异（450 mA vs 900 mA），量产前务必核实供应商的最终数据表与出货标识。
• 磁珠为无源差分耗散元件，对直流阻抗敏感，长期过流会导致性能退化或热失效。
• 焊接工艺（回流曲线）应参考厂家推荐，避免过高峰值温度或过长热暴露影响磁性材料特性。

七、总结

CBW100505U101T 是一款适用于中高频 EMI 抑制的0402 封装磁珠，兼具较高的阻抗与较低的直流电阻，适合空间受限的电子产品进行电源和信号线滤波。在使用前请确认最终额定电流与热功耗要求，并依照PCB布线和回流焊工艺推荐，确保滤波效果与长期可靠性。若需更精确的频率响应和热特性数据，请向供应商索取完整数据手册。