B82462G4223M000 产品概述

一、产品概述

TDK 型号 B82462G4223M000 为 22 µH 屏蔽绕线电感器，适用于对 EMI 抑制与能量储存有要求的直流-直流 转换与滤波电路。该器件额定感值 22 µH，公差 ±20%，具有良好的磁屏蔽性和较低的漏磁场，适合密集封装或对磁干扰敏感的系统使用。器件标注符合车规等级 AEC‑Q200，可靠性与耐环境特性适合汽车电子应用。

二、主要电气参数

• 感量：22 µH ±20%
• 饱和电流（Isat）：850 mA（用户提供参数）
• 直流电阻（DCR）：最大 150 mΩ
• 车规等级：AEC‑Q200
• 品牌：TDK
  注意：在原始描述中出现“1.05A”标注，与所给 Isat（850 mA）不一致，选型时请以 TDK 官方数据表为准。

三、关键特性与优势

• 屏蔽结构：有效抑制磁通外泄，减小对邻近元件的干扰，便于在高密度 PCB 上布局。
• 绕线工艺：提供稳定的电感特性和良好的电流承载能力，适合输入滤波与能量储存。
• 低 DCR：150 mΩ 的最大直流电阻在同类尺寸中属于中低水平，有利于降低功率损耗和温升。
• 车规认证：通过 AEC‑Q200 认证，设计和制造满足汽车电子对振动、温度循环、湿热等严苛环境的要求。

四、典型应用场景

• 汽车电子：车载电源模块、DC‑DC 降压/升压转换器、ECU 电源滤波。
• 工业电源：开关电源输入/输出滤波、电源管理模块。
• 消费类与通信设备：需要中等电感量与屏蔽抑制的 EMI 滤波场合。

五、选型与使用注意事项

• 电流裕量：鉴于 Isat 指标决定了磁饱和点，推荐在实际工作电流下留有裕量（通常 20% 以上），以避免因饱和导致电感下降和电路性能恶化。
• 温升与散热：DCR 导致的功耗 P = I²·DCR，连续工作时需评估功耗与温升，必要时进行散热或降低平均电流。
• PCB 布局：尽量将电感靠近开关器件或输入/输出端，减小回流环路面积；屏蔽结构虽能降低外泄磁场，但关键敏感器件仍应保持一定距离。
• 封装与焊接：用户未提供具体封装信息，制造与焊接工艺（回流温度、焊盘设计）应参考 TDK 数据手册以保证可靠连接。

六、可靠性与车规说明

通过 AEC‑Q200 级别意味着该器件在高温、振动、热冲击、湿热等测试中满足汽车应用的可靠性要求。设计用于长期运行的车载系统时，可优先采用此类经过车规认证的元件以降低失效率风险。

七、结论与建议

B82462G4223M000 为一款面向汽车与工业等高可靠性场景的 22 µH 屏蔽绕线电感，具有良好的屏蔽性、适中的 DCR 与车规认证。选型时请核实 Isat 与实际工作电流的匹配关系，并以 TDK 官方数据表为最终依据；若需更高电流能力或更小 DCR，可考虑同系列或其他型号的替代件。