MH1608-221Y 产品概述

一、产品简介

MH1608-221Y 为 BOURNS 系列 0603（1608 公制）外形的磁珠抑制元件，标称在 100MHz 处阻抗 220Ω，公差 ±25%。器件为单通道设计，适用于对高频干扰和电磁噪声进行衰减与抑制，是移动设备、电源滤波和高速信号线去耦的常用元件。

二、主要性能参数

• 阻抗：220Ω @ 100MHz（±25%）
• 直流电阻（DCR）：约 100 mΩ
• 额定电流：2A（连续额定，请参考应用条件）
• 通道数：1（单端）
• 工作温度：-55℃ ~ +125℃
• 封装：0603（约 1.6 mm × 0.8 mm）
  这些参数决定了该磁珠在高频段具有良好抑制能力，同时直流电阻较低，对电源轨的压降与功耗影响可控。

三、应用建议与选型要点

• 用途：去耦高频干扰、抑制电源/信号线的射频噪声、改善 EMI 性能。
• 选型关注点：若工作频段集中在百兆赫兹附近，220Ω 的阻抗能有效衰减；对更低频段噪声需求，则需配合电容或使用更大阻抗的器件。
• 电流与压降：在 2A 时理论电压降约 0.2V（I×DCR），理论功耗 I^2·DCR ≈ 0.4W；实际应用应考虑温升与厂商的热性能说明，必要时并联多只或选更大封装。

四、封装与可靠性

0603 小型封装适合高密度 PCB 布局，机械强度与焊接可靠性良好。工作温度覆盖工业级范围（-55℃ 至 125℃），在正常回流焊工艺下可用于表面贴装制造，但建议参考 BOURNS 官方数据手册以确认焊接曲线与可靠性试验数据。

五、布局与电路注意事项

• 靠近噪声源或干扰产生处放置，最短引线接入需抑制辐射。
• 与旁路电容配合使用，磁珠做串联，电容接地形成低通滤波效果。
• 对于低电压大电流轨，注意压降影响并评估热量积累；必要时采用更低 DCR 或更大封装产品。

六、替代与扩展

当电流需求超过 2A 或需更低压降时，可考虑更大封装或并联多只磁珠；若需共模抑制，应选择共模电感/共模磁珠。选型时优先参考厂商完整数据手册以获得阻抗曲线、频率响应与温升特性。

总结：MH1608-221Y 以其在 100MHz 附近显著的阻抗、低直流电阻与小尺寸封装，适合对高频 EMI 抑制有明确需求且对电流与压降有可控余量的便携和工业类应用。