PTVSHC3N12VU 产品概述

一、产品简介

PTVSHC3N12VU 是 Prisemi（芯导）推出的一款单路瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用 DFN-3（2×2）无铅封装，专为对电源轨和低速信号线提供高能脉冲与静电放电保护而设计。器件对 IEC 61000-4-2（静电放电）、IEC 61000-4-4（电快速瞬变）及 IEC 61000-4-5（雷击浪涌）等工业级抗扰度标准具有良好兼容性，适用于紧凑型电子设备的浪涌与 ESD 防护。

二、主要技术参数

• 反向截止电压 (Vrwm)：12 V
• 击穿电压 (Vbr)：14.5 V
• 钳位电压 (Vc)：30 V（峰值条件）
• 峰值脉冲电流 (Ipp)：200 A @ 8/20 μs
• 峰值脉冲功率 (Ppp)：5 kW @ 8/20 μs
• 反向电流 (Ir)：1 μA（常温、Vrwm 下）
• 结电容 (Cj)：约 1000 pF
• 通道数：单路（单通道）
• 封装：DFN-3（2×2）3 引脚，Pb-Free

三、产品特点

• 高能抗冲击：支持 200 A（8/20 μs）峰值脉冲电流与 5 kW 峰值功率，能有效吸收雷电浪涌及开关冲击能量。
• 低漏电流：工作电压下漏电低至 1 μA，适合对功耗敏感的应用场景。
• 可靠钳位：在脉冲事件中钳位电压约 30 V，能在短时间内保护下游电路不被过压损坏。
• 小型封装：DFN-3（2×2）体积小，适合空间受限的移动终端、便携设备及板级保护。
• 工业级兼容：通过多项 IEC 抗扰度标准验证，适用于工业与民用环境的电磁兼容需求。

四、典型应用

• 12 V 及以下电源轨保护（电源输入、逆变器输入、DC-DC 入口）
• 工业控制设备的浪涌与 ESD 防护
• 通用 I/O 口、开关电源端口、传感器供电保护（非高速差分信号）
  注意：由于结电容约 1000 pF，器件不适合用于高速数据线（如 USB 3.x、PCIe 等）或对信号完整性要求高的差分通道。

五、封装与 PCB 布局建议

• 将器件靠近受保护引脚放置，缩短布局中的走线长度以降低感抗和回路面积。
• GND 引脚或底部散热焊盘应与系统地平面通过多孔过孔连接，提高能量散逸能力与热稳定性。
• 对于高能量脉冲，建议在器件附近采用较宽的接地铜箔并增加过孔密度，以便快速将脉冲能量导入地平面。
• 在多分支保护场景下，确保各保护器件的参考地相互独立或采用合理的星形接地，避免地环路干扰。

六、可靠性与采购信息

PTVSHC3N12VU 由 Prisemi（芯导）制造，采用无铅工艺，适用于商业与工业等级应用。订购时请确认包装形式与批次检验报告（如需），并在实际系统中进行浪涌与 ESD 实测验证以确定匹配的保护性能。若需替代型号或更低电容/更高带宽的保护器件，可根据具体信号速率与系统电压选择相应的 TVS 器件。