BSS138 N沟道场效应管（HUASHUO 华朔）产品概述

一、产品简介

BSS138 是一款小功率 N 沟道增强型 MOSFET，HUASHUO（华朔）出品，采用 SOT-23 小封装，适用于对体积、成本和开关速度有要求的便携及低功耗电子产品。器件额定漏源电压为 50V，适合中低压开关场合，单片数量：1 个 N 沟道。

二、主要电气参数

• 漏源电压 Vdss：50 V
• 连续漏极电流 Id：230 mA
• 导通电阻 RDS(on)：3.4 Ω @ Vgs = 10 V（测试电流 0.22 A）
• 功耗 Pd：360 mW（封装限制）
• 阈值电压 Vgs(th)：1.5 V（典型，测量条件通常 Id 小电流）
• 输入电容 Ciss：26 pF @ 25 V
• 反向传输电容 Crss：5 pF @ 25 V
• 工作温度：-55 ℃ ～ +150 ℃
• 封装：SOT-23

三、性能与特点

• 小封装、体积紧凑，适合密集 PCB 布局。
• 低输入电容（Ciss ≈ 26 pF），开关时栅极驱动功率低，适合较高频率的开关或电平转换。
• 阈值电压约 1.5 V，能在低电平驱动下开始导通，但需注意阈值并不等于完全导通；器件 RDS(on) 标定在 Vgs = 10 V 条件下。
• 封装功耗限制 Pd = 360 mW，适合小电流 DC 开关与信号级应用。

示例功率损耗计算：在 Id = 0.22 A、RDS(on) = 3.4 Ω 时，导通损耗 P = I^2·R ≈ 0.22^2·3.4 ≈ 0.165 W（165 mW），低于封装 Pd，但长时间或高频工作需考虑 PCB 散热。

四、典型应用场景

• 电平转换与逻辑电路隔离（例如 I2C、SPI 的电平移位器）
• 小电流开关与负载控制（指示灯、传感器供电切换）
• 便携式与电池供电设备的低侧开关或功耗管理
• 信号复用、保护电路与负载检测

五、使用建议与注意事项

• 驱动电压：若需低 RDS(on)，建议尽量采用较高栅压（靠近器件规格给出的 10 V 测试条件），但在 3.3 V 或 5 V 系统中常用于信号级开关，须评估在目标 Vgs 下的导通电阻和温升。
• 栅极保护：对快速边沿或电磁干扰环境，建议串联小阻（几十欧姆）以抑制振铃，并在需防静电场合加保护二极管或 TVS。
• 热管理：SOT-23 封装散热能力有限，长时间接近额定电流或高频开关时应在 PCB 布局上增加铜面积作为散热通道。
• 测试注意：阈值电压仅表示开始导通的点，不代表在该电压下能承载规格电流。实际设计应参照在目标 Vgs 下的 RDS(on) 或直接做电测验证。

六、封装与可靠性

SOT-23 小封装便于自动贴装与大规模生产，工作温度范围宽（-55 ℃ 到 +150 ℃），适合商用及工业级温度需求。注意焊接工艺与回流曲线，以免超过封装允许的热应力。

七、选型与采购建议

BSS138（HUASHUO）适用于对成本、体积和开关速度有一定要求的小信号 MOSFET 应用。选型时应核对目标系统的工作电压、驱动电压与最大允许电流，必要时在实际电路中验证导通损耗与结温。若需要更低 RDS(on) 或更高电流能力，可考虑同类规格但 RDS(on) 更低或更大封装的器件。

如需器件样品、批量采购或器件完整数据手册（含温度特性曲线、典型应用电路与测试条件），建议联系 HUASHUO 官方或授权分销商获取原厂资料。