NLV25T-2R2J-EF 产品概述

一、产品简介

NLV25T-2R2J-EF 为 TDK 系列磁胶屏蔽功率电感，标称电感值 2.2 µH，公差 ±5%，额定直流电流 200 mA，直流电阻（DCR）约 1.55 Ω，常见用于小功率开关电源滤波与噪声抑制。封装型号为 1008，适合表面贴装（SMD）工艺，面向对体积和磁泄漏有一定控制要求的消费及工业电子产品。

二、主要参数

• 电感值：2.2 µH ±5%
• 额定电流：200 mA（建议在额定温升与环境条件下使用）
• 直流电阻（DCR）：约 1.55 Ω（相比同等电感值较高，需关注功耗）
• 类型：磁胶屏蔽电感（屏蔽结构有利于降低磁通泄漏与相邻元件干扰）
• 封装：1008（具体外形尺寸以 TDK 数据手册为准）
• 品牌：TDK（工业级质量与一致性）

三、关键特性

• 磁胶屏蔽结构：减小磁场外泄，利于高密度 PCB 布局中降低相互干扰。
• 小体积 SMD 封装：适合空间受限的模块化设计。
• 相对较高的 DCR：指示在通过额定电流时会产生一定的 I^2R 损耗，适合对功率损耗容忍度较高或工作电流较小的场合。
• ±5% 公差：适合对电感精度有中等要求的滤波或振荡电路。

四、典型应用

• 便携式/消费类开关稳压模块（低功率）
• 输入/输出 LC/RF 滤波器，EMI 抑制器件
• 模拟前端供电隔离与去耦
• 低速数据线滤波或信号完整性改善场景

五、应用建议与注意事项

• 由于 DCR 较高，设计时需评估在最大工作电流下的温升与功耗；必要时进行电流降额或选用低 DCR 型号。
• PCB 布局上，尽量将电感与开关元件和大电流路径靠近，缩短回流路径以降低 EMI。屏蔽结构有助于邻近敏感器件布置。
• 焊接与回流工艺应参照 TDK 的推荐曲线，避免超温或过度机械应力导致性能退化。
• 对于关键电源路径，建议做实际温升与电感值在工作频率下的测量验证。

六、采购与识别

购买时请以完整料号 NLV25T-2R2J-EF 作为检索与订购依据，并参考 TDK 官方数据手册获取详细尺寸、频率响应（AC 特性）、耐温等级及焊接工艺要求，确保与设计需求一致。