型号:

MMZ1608S102ATA00

品牌:TDK
封装:0603
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
MMZ1608S102ATA00 产品实物图片
MMZ1608S102ATA00 一小时发货
描述:磁珠 1kΩ@100MHz 500mΩ ±25% 400mA
库存数量
库存:
8465
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0588
4000+
0.0467
产品参数
属性参数值
阻抗@频率1kΩ@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)500mΩ
额定电流400mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

MMZ1608S102ATA00 产品概述

一、产品简介

MMZ1608S102ATA00 是日本 TDK 推出的贴片磁珠(ferrite bead),封装尺寸为 0603(1608 公制),单通道器件,主要用于抑制电源线和信号线上的高频干扰与电磁干扰(EMI)。型号中的“102”表示在 100 MHz 附近具有约 1 kΩ 的阻抗特性,适合在对高频噪声抑制有较高要求的小型化电路中应用。

二、主要电气参数

  • 阻抗:1 kΩ @ 100 MHz(标称)
  • 阻抗公差:±25%(表示在 100 MHz 时阻抗可在约 750 Ω ~ 1250 Ω 之间)
  • 直流电阻(DCR):500 mΩ(典型)
  • 额定电流:400 mA(最大持续电流)
  • 通道数:1(单通道)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:0603(MMZ1608)

说明:磁珠在不同频率下阻抗呈明显变化,通常随频率上升其阻抗主由铁氧体材料的感抗和损耗构成,实际电路中应参考厂商的频率响应曲线以获得更精确的抑制效果。

三、特性与优势

  • 高频抑制能力强:在 100 MHz 附近阻抗高达 1 kΩ,可有效衰减射频干扰与开关噪声。
  • 小型化封装:0603 封装适合高密度 PCB 布局,便于移动通信、手持设备及消费电子的小尺寸设计。
  • 工艺兼容:适合常规 SMT 回流焊工艺(请参照 TDK 推荐的回流曲线)。
  • 温度范围宽:-55 ℃ 到 +125 ℃,满足一般工业级工作环境要求。
  • 单通道设计:适合对单根电源或信号线进行局部滤波、去耦与 EMI 抑制。

四、设计注意事项(关键工程数据)

  • DC 压降与功耗:按 DCR=0.5 Ω、额定电流 400 mA 计算,最大直流压降约为 0.2 V,功耗约为 0.08 W(80 mW)。在高电流或多并联情况下需评估温升与可靠性。
  • 阻抗公差影响:±25% 的阻抗公差意味着实际抑制性能在不同批次或温度下会有波动,关键抗扰设计建议预留裕量。
  • 热管理与散热:长时间大电流工作时,铁氧体元件可能产生温升,应确认周边器件的热容与散热条件。
  • 使用场合限制:磁珠用于消耗高频能量并转换为热,不适合作为直流限流或低频滤波器;对直流稳压精度敏感的电源节点需评估压降影响。

五、典型应用场景

  • 开关电源(SMPS)输入/输出的高频 EMI 抑制
  • 手机、平板、无线模块等便携设备的电源线路噪声抑制
  • 数字/模拟电路的供电分支去耦与串联滤波
  • USB、HDMI 等接口的共模/差模高频噪声抑制(视布线而定)
  • 工业控制与测量设备的局部射频干扰治理

六、封装、可靠性与装配建议

  • 封装:0603(1608M)表面贴装,适合自动化贴装与回流焊。
  • 焊接工艺:遵循制造商的回流焊推荐曲线,避免超过建议的峰值温度和保持时间以保证材料特性与可靠性。
  • 储存与处理:避免潮湿及强酸碱环境,贴片器件建议采用防潮包装并按 ESD 控制规范操作。
  • 可靠性测试:如需用于严苛环境或关键应用,建议依据工程要求进行额外的温循环、潮湿测试及通电寿命验证。

七、替代与选型要点

  • 替代时需匹配的关键参数:100 MHz 附近阻抗值、DCR、额定电流、封装尺寸与温度等级。
  • 若需求更低压降或更大电流,应选择更低 DCR 或更大尺寸的磁珠/电感件。
  • 对 EMI 抑制有更宽频段需求时,可参考带宽更宽或在目标频段有更高阻抗的型号。
  • 选型时可同时参考其他厂商(如 Murata、Taiyo Yuden 等)的同类 0603 封装、1 kΩ@100MHz 器件,但应对比频率响应曲线与实际电路表现。

总结:MMZ1608S102ATA00 以其 0603 小型封装与在 100 MHz 附近约 1 kΩ 的高频阻抗,适合在空间受限且对高频 EMI 有严格控制要求的终端设备中作为电源与信号线路的局部滤波元件。在使用时需关注 DCR 导致的直流压降与功耗、阻抗公差对抑制效果的影响,并按实际电路条件进行热与电气验证。