型号:

MMZ1005S121HT000

品牌:TDK
封装:0402
批次:26+
包装:编带
重量:-
其他:
MMZ1005S121HT000 产品实物图片
MMZ1005S121HT000 一小时发货
描述:磁珠 120Ω@100MHz 130mΩ ±25% 700mA
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商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.0512
10000+
0.042
产品参数
属性参数值
阻抗@频率120Ω@100MHz
误差±25%
直流电阻(DCR)130mΩ
额定电流700mA
通道数1
工作温度-55℃~+125℃

TDK MMZ1005S121HT000 片式磁珠产品概述

一、产品定位与典型应用场景

TDK MMZ1005S121HT000是一款专为小型化电子设备高频EMI抑制设计的片式磁珠,核心作用是过滤电路中的高频干扰噪声,同时保持直流信号的低损耗传输。其紧凑的0402封装(公制1005)和宽温特性,适配消费电子、IoT终端、工业控制等领域的高密度布局需求。

典型应用场景包括:

  • 智能手机/平板:射频前端、基带电路的电源滤波与信号噪声抑制;
  • 可穿戴设备:智能手表、手环的传感器供电线路噪声过滤;
  • IoT终端:低功耗MCU、WiFi/Bluetooth模块的EMI防护;
  • 小型工业模块:传感器节点、微型电源的高频干扰抑制。

二、关键参数解析与实际意义

磁珠性能的核心取决于频率选择性阻抗、直流损耗、电流承载能力,以下是MMZ1005S121HT000关键参数的实际价值:

2.1 阻抗特性:120Ω@100MHz ±25%

磁珠的阻抗随频率变化(频率选择性阻抗),仅在目标干扰频段表现出高阻抗:

  • 120Ω@100MHz:精准匹配100MHz左右的常见EMI干扰(如数字时钟谐波、射频杂散),能将噪声能量转化为热量消耗,不影响低频信号;
  • ±25%误差:满足消费电子、一般工业场景的精度需求,无需额外校准。

2.2 直流电阻(DCR):130mΩ

DCR是磁珠对直流信号的电阻,直接影响电路功耗:

  • 130mΩ的低DCR设计,可减少直流传输损耗(如1V供电下,损耗仅0.091mW),避免磁珠发热;
  • 低DCR不干扰直流供电或信号完整性,仅针对高频噪声起作用。

2.3 额定电流:700mA

额定电流是磁珠允许长期通过的最大直流电流(无性能衰减):

  • 700mA适配小电流电路(如传感器、低功耗MCU电源);
  • 实际应用建议降额至600mA以内,延长产品寿命。

2.4 工作温度范围:-55℃~+125℃

宽温特性适应极端环境:

  • 低温端-55℃:满足工业户外、汽车辅助电子等低温场景;
  • 高温端125℃:可承受回流焊高温(峰值260℃)及长期高温运行。

三、封装与可靠性设计

3.1 0402紧凑型封装

封装尺寸为1.0mm×0.5mm×0.5mm(公制1005),属于表面贴装元件(SMD):

  • 体积小巧,适配手机主板、可穿戴设备等紧凑空间的高密度布局;
  • 兼容标准回流焊、波峰焊工艺,便于自动化生产。

3.2 高可靠性设计

TDK采用成熟陶瓷磁芯工艺,确保稳定性:

  • 磁芯材料抗老化,长期使用后阻抗特性无明显漂移;
  • 焊接端采用耐氧化镀层,减少虚焊风险;
  • 符合RoHS环保标准,无铅无卤,适配绿色制造。

四、核心优势总结

  1. 高频噪声针对性强:100MHz频段阻抗精准,有效过滤数字/射频干扰;
  2. 低损耗直流传输:130mΩ低DCR,不影响直流信号完整性;
  3. 小体积高密度:0402封装适配小型化设备布局;
  4. 宽温稳定可靠:-55~125℃范围满足极端环境需求;
  5. 品牌品质保障:TDK被动元件的技术积累,质量一致性高。

五、选型与应用注意事项

5.1 选型匹配要点

  • 干扰频段:若主要干扰为100MHz左右,此款适配;若频段偏移,需选对应阻抗曲线的磁珠;
  • 电流需求:长期工作电流≤700mA(建议降额);
  • 封装尺寸:0402适配高密度PCB,空间允许可选择更大封装(如0603)。

5.2 应用注意事项

  • PCB布局:靠近噪声源(如MCU时钟输出)或敏感电路(如射频前端),缩短噪声路径;
  • 焊接工艺:回流焊峰值温度≤260℃,焊接时间≤10秒,避免过热损坏;
  • 降额使用:长期电流控制在额定值的80%以内(≤560mA),提升可靠性。

该产品凭借高频抑制精准、低损耗、小体积等特点,成为小型化电子设备EMI防护的高性价比选择。