VLS201610HBX-3R3M-1 产品概述

一、概述

VLS201610HBX-3R3M-1 是 TDK 推出的一款屏蔽绕线功率电感，标称电感值 3.3µH，公差 ±20%，采用 0806（2016 公制，2.0 × 1.6 mm）小型封装。该器件针对空间受限且需一定电流承载能力的点对点电源滤波及开关电源应用设计，兼顾电磁屏蔽与较低的漏磁特性，适合移动设备、电源模块和 EMI 抑制场景。

二、主要参数

• 电感值：3.3 µH，公差 ±20%
• 额定电流（额定工作电流）：1.02 A（在该电流下器件可长期工作，具体性能以 datasheet 为准）
• 饱和电流 Isat：1.2 A（当电流接近该值时，电感量会明显下降）
• 直流电阻 DCR：典型 210 mΩ，最大约 252 mΩ
• 封装：0806（2016 公制，2.0 × 1.6 mm）绕线屏蔽结构
• 型号/品牌：VLS201610HBX-3R3M-1 / TDK

三、器件特点与优势

• 屏蔽结构：减小对周边电路的磁干扰，利于密集 PCB 布局中 EMI 管控。
• 绕线工艺：相对陶瓷功率电感在磁性和饱和特性上更稳定，适合低频到中频电源滤波。
• 小型化封装：2.0 × 1.6 mm 占板面积小，适合移动终端和模块化电源应用。
• 电流能力适中：约 1 A 级别的额定电流，适合小功率降压模块、滤波网络等。

四、适用场景

• 同步/非同步降压（Buck）转换器的输出滤波或输入滤波（1 A 级负载场合）。
• 电源模块的点对点滤波、去耦与 EMI 抑制。
• 手持设备、物联网终端、小型消费类电子产品电源子系统。
• 高频开关电源旁路与滤波场合（需注意电流与频率下的电感衰减特性）。

五、使用注意事项与设计提示

• 电流热耗：DCR 较高，按 P = I^2·R 估算功耗，例如在 1.02 A 时 P ≈ 0.22 W，布局需考虑散热与温升。
• 饱和与直流偏置：实际工况下随直流偏置电流电感值会下降，Isat 为 1.2 A 时电感量显著衰减；设计余量建议在额定电流下保留一定余量（典型建议留 20%~30%）。
• 回流焊与装配：遵循 TDK 推荐的回流曲线与焊接工艺，避免热应力与超时高温造成性能退化或封装应力。
• PCB 布局：输入/输出电感宜靠近转换器接点，且保持低阻抗电流回路；屏蔽结构有助于降低磁通泄露，但仍需注意敏感信号线的隔离。
• 实测验证：在目标频率和直流偏置下建议使用实际电路测量电感值、损耗与温升，确认满足系统效率与 EMI 要求。

六、局限与选型建议

• 若系统电流远高于 1 A，或需要非常低 DCR 以降低损耗，应选择更大电流等级或更低 DCR 的电感产品。
• 对于对体积极端敏感但要求更高电流的应用，可考虑外形相近但采用高导磁材料或多股线绕制的型号。
• 在高频滤波场合，需确认该绕线电感在工作频率下的等效串联电阻（ESR/ESL）和 Q 值是否满足滤波器设计需求。

七、获取信息与支持

建议在最终选型前参考 TDK 官方 datasheet 以获取详细电气曲线（L vs I、频率响应、热阻、焊接工艺说明等）和封装尺寸图，并与供应商确认库存与样品。实际开发中，先做样机验证电感在典型工作点的电感衰减、发热与效率影响，确保与系统性能指标匹配。