型号:

MLZ2012N3R3LT000

品牌:TDK
封装:0805
批次:两年内
包装:编带
重量:-
其他:
-
MLZ2012N3R3LT000 产品实物图片
MLZ2012N3R3LT000 一小时发货
描述:3.3µH-屏蔽-多层-电感器-750mA-150-毫欧-0805(2012-公制)
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4000+
0.158
产品参数
属性参数值
电感值3.3uH
精度±20%
额定电流750mA
饱和电流(Isat)130mA
直流电阻(DCR)150mΩ
自谐振频率2MHz
类型叠层电感

MLZ2012N3R3LT000 产品概述

一、概况

TDK MLZ2012N3R3LT000 是一款屏蔽式多层叠层电感,标称电感值 3.3 µH,公差 ±20%,封装为 0805(2012-metric)。面向体积受限的电源与滤波应用,提供较高的额定电流与屏蔽特性,适合集成在贴片电路板上使用。

二、主要电气参数

  • 电感值:3.3 µH ±20%
  • 额定电流:750 mA(连续允许电流,按温升规范)
  • 饱和电流(Isat):130 mA(出现显著电感下降的直流偏置点)
  • 直流电阻(DCR):约 150 mΩ
  • 自谐振频率(SRF):约 2 MHz
  • 类型:屏蔽多层叠层电感(封装 0805)

三、产品特点与性能解读

  • 屏蔽结构:有效抑制磁通外泄,减少对周边元件的电磁干扰(EMI)。
  • 多层叠层:体积小、批量稳定性好,适合高密度贴片应用。
  • DCR 较高(约 150 mΩ):意味着在较大交流电流或高频下损耗不可忽视,影响效率与热量。
  • SRF ~2 MHz:表明在几 MHz 以上频率电感值急剧下降,不适合高频射频通道;更适合低频滤波与功率线抑制。
  • DC 偏置敏感:给定 Isat(130 mA)明显低于额定 750 mA,说明电感在较低直流偏置下就会发生显著降值。设计时须以实际工作电流下的有效电感作为依据。

四、典型应用

  • DC-DC 降压/升压电源的输出 LC 滤波(适用于开关频率远低于 SRF 的场合)
  • 电源输入的纹波抑制与噪声滤波
  • 音频电路、低频信号滤波与去耦
  • EMI 抑制与共模/差模滤波(根据电路拓扑选型)

五、选型与设计注意事项

  • 验证工作点:务必在目标电路的直流偏置与交流幅度下测试或参考厂商偏置特性曲线,避免在实际工作电流下电感已严重降低。
  • 损耗与热量:较高的 DCR 会带来功率损耗 P = I^2·DCR,计算温升并确保符合器件与板级热管理。
  • 频率限制:若开关频率或信号频率接近或高于 1–2 MHz,应考虑 SRF 带来的电感减小和寄生电容影响,必要时选用 SRF 更高的器件或不同拓扑。
  • 布局与焊接:贴近被滤波元件放置,短而粗的走线,有利于抑制寄生。遵循制造商的回流焊工艺建议以保证可靠性。

六、可靠性与环境

多层叠层与屏蔽结构在正常温度与振动条件下具有良好的稳定性与长期可靠性。实际应用中应参考 TDK 的规格书获取温度循环、湿热及波峰/回流焊后的性能保证数据。

七、结论

MLZ2012N3R3LT000 以小封装提供较高额定电流和屏蔽特性,适合低频功率与滤波场合。设计时需特别关注直流偏置对电感值的影响与较高 DCR 带来的损耗,结合实际工作频率与电流进行评估或在样机上验证,以确保电路性能与可靠性。若需要更高频率性能或更低损耗,应在 TDK 家族中比较其它型号或联系供应商获取完整偏置/频率特性曲线。