TPSM82823ASILR 产品概述

一、产品简介

TPSM82823ASILR 是德州仪器（TI）推出的一款高集成度降压型 DC-DC 转换器，面向空间受限且需高效率、低静态功耗的点位（point‑of‑load）供电方案。芯片集成同步整流与功率开关，输入电压范围宽（2.4V～5.5V），可为处理器、FPGA、ASIC、存储和射频模块等负载提供稳健的 600mV～4.0V 可调输出，持续输出电流可达 3A，适合中功率应用。

二、主要参数与功能

• 功能类型：降压型（Buck）
• 输入电压：2.4V ～ 5.5V
• 输出电压：600mV ～ 4.0V（可调）
• 最大输出电流：3A
• 开关频率：4MHz（固定）
• 同步整流：是（内置同步 MOSFET，降低整流损耗）
• 拓扑结构：降压式，内置开关管
• 静态电流（Iq）：4 μA（极低待机功耗，适合电池供电）
• 工作温度：-40℃ ～ +125℃
• 封装：TFDFN-10 (2.0 mm × 2.5 mm)

此外，器件通常集成软启动、过流保护与过温保护等电源管理特性（使用时请参考器件数据手册确认各项保护门槛与行为）。

三、优势与设计要点

• 高频开关（4MHz）：允许使用小体积电感与陶瓷输出电容，显著节省 PCB 面积与器件尺寸，但需注意开关噪声与 EMI 管理。
• 同步整流与内置功率开关：降低外部元件数量与整体导通损耗，提高在中高负载下的转换效率，并简化布局。
• 极低静态电流（4 μA）：在轻载或待机模式下有效延长电池寿命，适合便携式与 IoT 终端。
• 宽温度范围：适用于工业级应用场景，能在严苛环境下稳定工作。
• 小封装（TFDFN-10）：适合空间受限的电路板设计，带焊盘的热面有利于散热设计。

设计建议：

• 输入侧靠近 VIN 引脚放置低等效串联电阻（ESR）陶瓷电容以抑制瞬态。
• 输出侧使用低 ESR 陶瓷电容，注意电容电压系数对稳压环路稳定性的影响。
• 高频开关节点（SW）周围走线应尽量短且远离敏感模拟信号，减小开关回路面积以降低 EMI。
• 根据应用选择合适电感值与电容组合，在效率、稳定性与瞬态响应间权衡。

四、典型应用场景

• 便携式设备与电池供电系统（智能终端、手持设备）
• 点位供电（FPGA、MCU、DSP 的核心/外设电源）
• 工业控制与通信设备的局部稳压
• IoT 终端与边缘节点，要求低静态功耗与紧凑方案的场合

五、布局与散热建议

• 在 TFDFN-10 封装下，芯片底部的焊盘应焊满以提高导热性，并通过若干热通孔或铜箔扩展至内层/底层散热面以降低结温。
• 将输入电容、输出电容与电感紧凑排列，尽量缩小高电流回路（VIN→开关→电感→COUT→GND）的环路面积。
• 将敏感信号（如反馈 FB、补偿网络）远离开关节点，并使用短而粗的回流路径。
• 高频开关频率使得布局质量对 EMI 与纹波影响更敏感，可在必要处增加输入滤波或共模滤波器，并在 PCB 设计时考虑接地分区。

六、封装与选型注意

• 封装：TFDFN-10 (2 × 2.5 mm)，适合空间受限设计；注意焊盘设计与回流工艺，确保热焊盘充分接触。
• 选型时应确认所需输出电压范围（600mV～4V）与最大负载（3A）匹配，并参考数据手册选择电感、电容以及设置反馈分压以满足精度与动态要求。
• 实际设计中，请以德州仪器官方数据手册与评估板资料为准，参考厂商提供的典型应用电路与 PCB 布局示例以缩短开发周期并保证可靠性。