型号:

TLV3542IDGKR

品牌:TI(德州仪器)
封装:VSSOP-8
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TLV3542IDGKR 产品实物图片
TLV3542IDGKR 一小时发货
描述:运算放大器 150V/us 双路 3pA 100MHz
库存数量
库存:
14
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
6
2500+
5.8
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)7.5V
轨到轨轨到轨输入,轨到轨输出
增益带宽积(GBP)200MHz
输入失调电压(Vos)10mV
输入失调电压温漂(Vos TC)4.5uV/℃
压摆率(SR)150V/us
输入偏置电流(Ib)3pA
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)7.5nV/√Hz@1MHz
共模抑制比(CMRR)80dB
静态电流(Iq)5.2mA
输出电流100mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源2.5V~5.5V
双电源(Vee~Vcc)-2.75V~-1.25V;1.25V~2.75V

TLV3542IDGKR — 运算放大器 150V/µs 双路 3pA 100MHz(TI)

一、产品概述

TLV3542IDGKR 是德州仪器(TI)推出的一款双路高速运算放大器,具有轨到轨输入与轨到轨输出特性,适用于对速度、带宽和低偏置电流有较高要求的便携式及工业应用。器件在低电源电压下表现出稳定的宽带宽和高压摆率,适合驱动负载并可直接驱动小电流负载或后级ADC输入。

二、主要特点

  • 放大器数:双路
  • 轨到轨:输入与输出均为轨到轨
  • 增益带宽积(GBP):200 MHz
  • 压摆率(SR):150 V/µs
  • 输入偏置电流(Ib):3 pA;输入失调电流(Ios):1 pA
  • 输入失调电压(Vos):10 mV;温漂(Vos TC):4.5 µV/℃
  • 噪声密度(eN):7.5 nV/√Hz @1 MHz
  • 共模抑制比(CMRR):80 dB
  • 静态电流(Iq):5.2 mA(双通道)
  • 输出电流:可达 100 mA(短时驱动能力)
  • 电源范围:单电源 2.5 V ~ 5.5 V;最大电源差 Vdd−Vss = 7.5 V
  • 工作温度:−40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:VSSOP-8(TI)

三、性能解析

  • 带宽与速率:200 MHz 的 GBP 与 150 V/µs 的压摆率,使器件在增益为1~10 的条件下仍能保持良好上升/下降时间,适合高速信号缓冲及宽带滤波器。
  • 低偏置与低噪声:3 pA 的输入偏置与 7.5 nV/√Hz 的噪声密度,使其适合高阻抗传感器前端和要求低噪声的信号链(如精密放大与ADC驱动)。
  • 轨到轨输入/输出:在低电源电压下可使输入/输出接近电源轨,提高动态范围并简化单电源系统设计。
  • 偏置与漂移:10 mV 的初始失调及 4.5 µV/℃ 的温漂,满足多数精密但非超高精度放大应用的稳定性需求。

四、典型应用

  • ADC 驱动与采样保持前端
  • 高速缓冲与放大器(视频、通信前端)
  • 有源滤波器与差分信号处理
  • 医疗仪器及精密传感器接口(受益于低偏置电流)
  • 便携式/电池供电电子设备

五、封装与电源注意事项

  • 封装为 VSSOP-8,适用于空间受限的表面贴装设计。
  • 支持单电源 2.5–5.5 V;在双电源配置时须确保 Vcc−Vee ≤ 7.5 V。
  • 建议在电源引脚附近做良好去耦(陶瓷 0.01–0.1 µF + 电解或钽电容)以保证高频稳定性。

六、设计与选型建议

  • 带容性负载时留意稳定性,必要时在输出串联小电阻或加阻尼网络。
  • 对于要求最小失调与高精度测量的应用,可通过外部失调校准或选用配套电路进行补偿。
  • 摆率与驱动能力允许直接驱动较低阻抗负载,但需要关注功耗与热耗散,注意PCB散热与布局。
  • 若应用对CMRR或带宽有更高要求,可参考TI同类产品系列进行比对,确保最优成本/性能配比。

总之,TLV3542IDGKR 在高速、低噪声与超低偏置电流间实现了良好平衡,是需要在有限电源电压下实现高性能放大的优选器件。