CGA3E1X7R1V334KT0Y0E 产品概述

一、主要规格

• 型号：CGA3E1X7R1V334KT0Y0E（TDK）
• 电容值：330nF（0.33µF）
• 公差：±10%
• 额定电压：35V DC
• 温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，Class II）
• 封装：0603（约 1.6 × 0.8 mm，英制 0.06" × 0.03"）
• 封装形式：贴片式多层陶瓷电容（MLCC）

二、产品特性

• 体积小、密度高：0603 小尺寸便于高密度 PCB 布局，适合空间受限的应用。
• 工作温度范围宽，温度稳定性较好：X7R 在 -55°C 至 +125°C 区间内具有可接受的电容变化（Class II）。
• 低等效串联电阻/电感（ESR/ESL）：有利于滤波与去耦，响应快速。
• 高额定电压：35V 适用于中低压电源轨的去耦与旁路。
• 注意点：作为 Class II 陶瓷，电容值会随温度、外加直流偏压和老化而发生变化，应在设计时考虑这些效应。

三、典型应用

• 微处理器和数字芯片的电源去耦（Vcc 旁路）
• DC-DC 转换器输入/输出滤波与稳定
• 模拟电路的耦合/旁路与噪声抑制
• 消费类便携设备、通信设备和一般工业电子装置的去耦与滤波

四、封装与焊接建议

• 兼容标准无铅回流焊工艺（请按器件制造商推荐的回流曲线执行）。
• 0603 尺寸对贴片机拾放友好，适合自动化生产。
• 布局时建议将去耦电容尽可能靠近电源引脚布置，缩短回流路径，减小寄生电感。
• 避免在 PCB 上对器件施加过大机械应力（如弯曲或孔位应力），以防裂片。

五、选型与使用注意

• 考虑直流偏压效应：Class II 陶瓷在高偏压下电容可能显著下降，设计时请留裕量或查阅厂商 DC‑bias 曲线。
• 考虑温度与老化：X7R 在温度变化和长期使用中会有一定漂移，关键电路如计时、精密滤波可考虑 C0G/NP0 类型。
• 存储与搬运：防潮、防静电、避免跌落及机械冲击；焊前按标准回流前烘烤要求处理（若有）。

六、总结

TDK CGA3E1X7R1V334KT0Y0E（0603，330nF，35V，X7R，±10%）是一款适合通用电源去耦与滤波的高密度 MLCC，兼顾体积与性能。在电源管理、数字、模拟混合电路中可提供良好的旁路效果，但在高偏压或对温度/时间漂移敏感的场合应综合考虑其固有特性并参考厂商详尽数据手册。