型号:

CGA6P1X7R1C226MTJY0N

品牌:TDK
封装:1210
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CGA6P1X7R1C226MTJY0N 产品实物图片
CGA6P1X7R1C226MTJY0N 一小时发货
描述:贴片电容(MLCC) 16V ±20% 22uF X7R
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.741
1000+
0.684
产品参数
属性参数值
容值22uF
精度±20%
额定电压16V
温度系数X7R

TDK CGA6P1X7R1C226MTJY0N 产品概述

一、基本规格与命名说明

  • 品牌:TDK
  • 型号:CGA6P1X7R1C226MTJY0N
  • 类型:多层陶瓷贴片电容(MLCC)
  • 容值:22 µF
  • 精度:±20%
  • 额定电压:16 V
  • 温度特性:X7R(-55°C 至 +125°C)
  • 封装:1210(3.2 mm × 2.5 mm 级别的贴片封装)

二、结构与材料特性

该产品属于高介电常数陶瓷体系的多层电容,采用X7R介质以在宽温度范围内维持较稳定的电容量。典型结构为多层陶瓷片堆叠、内电极与外部金属化终端,适配常规回流焊工艺。X7R材料兼顾较大容值与温度稳定性,能在体积受限时提供较高的电容量密度。

三、关键电气性能与设计注意事项

  • 温度稳定性:X7R规范下工作温度范围广,但容值会随温度变化,需在极端温度工况下验证实际容值。
  • 直流偏压效应:高介电常数陶瓷电容在施加直流电压时电容量会显著下降,尤其在接近额定电压时下降更明显。设计时应考虑偏压后的有效电容量,必要时选择更高额定电压或并联更大容值件。
  • 高频特性:1210 封装相对尺寸较大,适合提供中低频去耦与能量储备。若需处理高频瞬变,建议与小封装的高频陶瓷(如C0G/NP0或更小尺寸X7R)并联使用以改善ESR/ESL特性。
  • 老化与可靠性:陶瓷电容受老化影响,电容量会在出厂后逐步衰减并趋于稳定,设计余量需预留。
  • 焊接与工艺:支持标准回流焊温度曲线,但应避免过度热冲击与机械应力,遵循制造商的推荐焊接规范。

四、典型应用场景

  • 开关稳压器输出/输入的去耦与能量储存
  • PCB 电源轨的旁路与滤波(如 3.3V/5V 电源)
  • 嵌入式系统和消费电子中需要中等容量且尺寸受限的场合
  • 模拟电路的电源稳压与旁路(需注意偏压与温度引起的容值变化)

五、封装、机械与可靠性注意

  • 1210 封装在装配过程中对机械应力较敏感,贴装时应避免在边缘处施加较大弯曲或挤压力。
  • 推荐在靠近芯片电源引脚处尽量减短走线并尽量靠近焊盘放置,减少寄生阻抗。
  • 多层并联布局可以降低等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),改善瞬态响应。
  • 在高振动或热循环严重的应用中,应评估焊点可靠性与元件裂纹风险。

六、选型建议与验证

  • 若电路对稳定电容量要求高,建议在原理样机阶段对偏压与温度条件下的实际电容量进行测量评估,必要时选用更高额定电压或改用温度系数更好的介质。
  • 对于需要同时兼顾低频储能与高频旁路的电源设计,可将此类大容量X7R与小容量C0G/NP0并联,以覆盖更宽频段的滤波需求。
  • 在量产前参考并严格遵循TDK最新数据手册与焊接/储存规范,进行可靠性与匹配测试。

总结:TDK CGA6P1X7R1C226MTJY0N 在 1210 尺寸下提供相对较大的 22 µF 容值,适合用于中低频电源去耦与能量储存场合。设计时应重点考虑直流偏压与温度对有效电容量的影响,并配合合理的版图与并联策略以满足系统性能要求。若需更详细的电气参数与焊接曲线,请参考 TDK 官方数据表并做样品测试验证。