型号:

CC0201KRX5R6BB224

品牌:YAGEO(国巨)
封装:0201
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
CC0201KRX5R6BB224 产品实物图片
CC0201KRX5R6BB224 一小时发货
描述:.22µF-±10%-10V-陶瓷电容器-X5R-0201(0603-公制)
库存数量
库存:
29547
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:15000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.016
15000+
0.0128
产品参数
属性参数值
容值220nF
精度±10%
额定电压10V
温度系数X5R

CC0201KRX5R6BB224 产品概述

一、产品简介

CC0201KRX5R6BB224 为 YAGEO(国巨)系列0201(0603公制)贴片多层陶瓷电容,额定容量 220nF(0.22µF),初始容差 ±10%,额定电压 10V,介质材料 X5R。该型号面向高密度、微型化电路板的去耦、旁路与滤波应用,兼顾体积最小化与较大的单颗电容量需求。

二、主要特性

  • 容值:0.22µF(220nF),初始容差 ±10%(K)。
  • 额定电压:10 V DC。
  • 温度特性:X5R(工作温度范围 -55℃ 至 +85℃,温度偏差上限 ±15%)。
  • 封装:0201(0603公制),适用于高密度 SMT 贴装。
  • 频率响应:低 ESR/低 ESL,适合高频去耦与旁路。
  • 包装:带状卷盘(Tape & Reel),适配自动贴片机。

三、应用场景

适用于移动设备、可穿戴、通讯模组、电源后端去耦、ADC/DAC 前端滤波、时钟/射频电路的局部旁路等对空间要求高且工作电压不超过 10V 的场合。推荐用于电源去耦时与更大封装电容并联,以兼顾低频与高频特性。

四、设计注意事项

  • DC 偏置效应:X5R 在施加偏压时会产生显著电容衰减,0201 封装上该效应更明显;在接近 10V 时实际有效电容可能明显低于标称值。若需保证一定容值,建议留有裕量或选用更高额定电压/更大封装。
  • 温度与老化:X5R 为 II 类介质,存在温漂(±15%)与随时间的老化(电容随时间呈对数下降,典型为每十倍时间尺度几%),请在长期设计中考虑。
  • 布局:紧靠被去耦引脚放置,焊盘走线短而宽,避免通过狭长走线增加 ESL。多颗并联可降低等效 ESL/ESR。
  • 焊接工艺:遵循推荐回流曲线,常用无铅回流峰值温度 245–260℃;避免过度机械应力,贴装与波峰/回流后冷却过程中板弯曲可能导致裂纹。

五、可靠性与测试

符合行业常规的温度循环、湿热、机械冲击与焊接可靠性测试。X5R 产品应关注偏压-温度耦合下的寿命与容值漂移,设计时建议预留足够裕量并在关键点进行实测验证。

六、选型建议与注意事项

  • 若电路对稳态容量要求严格(如滤波低频成分),优先考虑更高电压等级或更大封装以降低 DC 偏置影响。
  • 对空间最优先且主要为高频去耦时,0201 0.22µF 是很好的选择,可与 0402/0603 的更大电容并联以兼顾宽频带响应。
  • 订购与贴装时确认卷带方向、批次与湿敏等级(MSL),并按照制造商 Datasheet 给出的 PCB 焊盘尺寸与回流规范执行。

快速检核项:容量 220nF、±10%、10V、X5R、0201 封装,适合高密度去耦与滤波;关注 DC 偏置、温漂与老化,必要时做实测验证。