BZT52C5V1SW 产品概述

一、主要规格

BZT52C5V1SW 是晶导微电子推出的小功率稳压二极管，标称稳压值 5.1V，允许稳压范围 4.8V–5.4V。反向漏电流 Ir = 2µA（在 Vr=2V 时测得）。最大耗散功率 Pd = 200mW。交流小信号阻抗 Zzt = 60Ω，拐点/膝区阻抗 Zzk = 480Ω。封装为 SOD-323W（小型表贴）。

二、参数含义与电性能要点

• 稳压范围 4.8–5.4V 表示在指定工作电流范围内器件的最低和最高稳压极限，应按最坏情况设计。
• Ir = 2µA 指在低电压时的反向泄漏，表示静态漏流很小，适合低功耗电路。
• Zzt（动态阻抗）越小，稳压随电流变化越稳定；60Ω 表明在工作区仍有一定电压随电流变化的斜率。Zzk（膝区高阻抗）较大，意味着在靠近击穿起始电流时电压不稳定，应避免长期在该区工作。
• Pd=200mW 是在推荐散热条件下器件允许的最大耗散，理论最大稳压电流 Iz,max ≈ Pd/Vz ≈ 0.2W/5.1V ≈ 39mA。但受封装和 PCB 散热限制，实际连续工作电流应远低于该值以保证可靠性。

三、典型应用

• 低功耗稳压参考（小电流应用）
• 串联限流的简单 5.1V 参考源或电源预稳压
• 过压/浪涌钳位、信号线保护（能量不大的瞬态）
• 电平移位与偏置网络

四、使用建议与计算示例

稳压二极管需串联限流电阻 R：R = (Vin − Vz) / Iz；电阻耗散 P_R = (Vin − Vz)·Iz。
示例：Vin=12V，目标 Iz=5mA，则 R=(12−5.1)/5mA≈1.38kΩ，电阻功耗≈34.5mW，器件功耗≈5.1V×5mA=25.5mW，均远低于 Pd。建议连续工作电流通常选为 Pd/Vz 的 20–30%（例如 8–12mA 范围）以延长寿命并允许周边温升余量。

注意动态阻抗带来的电压漂移：ΔV ≈ Z · ΔI。若工作点 Iz=5mA，电流波动 ±2mA，则电压波动约 ±(60Ω×2mA)=±0.12V。

五、封装与焊接注意事项

SOD-323W 为超小型表贴封装，适合自动贴装与回流焊工艺。注意焊盘与 PCB 铜箔面积会影响散热性能，热阻较大时需降低连续工作电流并考虑在周围增加铜面以改善散热。器件通常以负极（阴极）端标识的带状标记区分极性。

六、可靠性与温度影响

稳压电压随温度有一定温度系数（随型号与工艺不同），对温度敏感度要求高的应用应查完整数据手册并做温漂评估。高环境温度或受限散热时应按 Pd 的温度降额曲线调整最大允许电流。

总结：BZT52C5V1SW 适合于体积受限、低功耗的 5.1V 基本稳压与钳位场合；设计时重点考虑串联限流、动态阻抗和封装散热限制，以保证稳压精度与长期可靠性。