型号:

FOD817SD

品牌:ON(安森美)
封装:SMD-4P
批次:25+
包装:编带
重量:0.51g
其他:
-
FOD817SD 产品实物图片
FOD817SD 一小时发货
描述:4PB TR
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2
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.825
1000+
0.76
产品参数
属性参数值
输入类型DC
输出类型光电三极管
正向压降(Vf)1.2V
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
直流反向耐压(Vr)6V
负载电压70V
输出通道数1
集射极饱和电压(VCE(sat))100mV@20mA,20mA
上升时间(tr)4us
下降时间3us
工作温度-55℃~+110℃
电流传输比(CTR)最小值300%
电流传输比(CTR)最大值/饱和值600%
总功耗(Pd)200mW
正向电流(If)50mA

FOD817SD 产品概述

FOD817SD 是安森美(ON Semiconductor)提供的一款单通道光电耦合器(光电三极管输出),采用 SMD-4P 表面贴装封装,定位为低功耗、高隔离的输入直流到光电输出隔离元件,适用于信号隔离与电平转换场合。该器件以高电流传输比(CTR)和较低饱和电压为主要特点,适合需要高灵敏度的数字或模拟隔离应用。

一、主要特性

  • 输入类型:DC 驱动的发光二极管(LED)。
  • 输出类型:光电三极管(Phototransistor)。
  • 正向压降(Vf):典型 1.2 V。
  • 输入正向电流(If)最大值:50 mA(建议按典型条件驱动以延长寿命)。
  • 输出电流:最大 50 mA,单通道输出。
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)):约 100 mV(在 20 mA 输入、20 mA 输出条件下)。
  • 电流传输比(CTR):最低 300%,最高可达 600%(饱和状态下)。
  • 隔离耐压(Vrms):5 kV(有效实现高压侧与低压侧电气隔离)。
  • 直流反向耐压(Vr):6 V。
  • 负载允许电压:最高 70 V。
  • 开关速度:上升时间 tr ≈ 4 μs,下降时间 tf ≈ 3 μs。
  • 工作温度范围:-55 ℃ 至 +110 ℃。
  • 总功耗(Pd):200 mW。

二、技术参数摘要(便于选型)

  • 封装:SMD-4P(4 引脚表面贴装,单通道)
  • 通道数:1
  • 隔离等级:5 kV RMS(适合工业、通信等需要强化隔离的场合)
  • 灵敏度:高 CTR(300%–600%),在低 If 下仍能得到显著输出
  • 开关特性:微秒级响应,适合多数控制与信号隔离需求,但非高速逻辑门级别器件

三、典型应用场景

  • MCU 与高压电路之间的信号隔离
  • 电源管理与开关电源初次/次级间的反馈隔离
  • 工业控制信号隔离(传感器、继电器驱动隔离)
  • 阈值检测、电压监测及通信接口保护
  • 需要高灵敏度小电流检测或电平移位的场合

四、封装与机械注意

  • SMD-4P 表面贴装封装,适合自动贴片与回流焊工艺。安装时应注意焊接温度曲线与器件热容,以防 LED 或光耦内部应力。
  • 引脚排列与板上走线应保证输入侧与输出侧的爬电距离与绝缘要求,配合 PCB 隔离槽或加大间距可提高系统耐压裕度。

五、使用与设计建议

  • 为保证长寿命与可靠工作,输入侧不建议长期满量程(If = 50 mA)驱动,宜按应用需求选择合适的 If(例如 1–20 mA)。
  • 输出侧若需驱动接近 50 mA,应考虑散热与 Pd 限制;VCE(sat) 在饱和时很低,可减少功耗,但仍需关注总功耗 200 mW 限制。
  • 由于 CTR 受温度与波长等因素影响,实际设计中应预留足够裕量,关键应用建议进行实际测试验证。
  • 若需更快响应或更高耐压,请在器件参数表中比对替代型号。

六、典型电路参考

  • 输入端:DC 源经限流电阻驱动光耦 LED(Anode/Cathode);限流电阻按所需 If 与 Vf 计算。
  • 输出端:光电三极管的集电极通常接至 VCC(或待测电压)经上拉电阻,发射极接地;当 LED 导通时,光电三极管导通拉低输出电平。
  • 对于开漏输出结构,可采用合适的上拉电阻值以兼顾响应速度与功耗。

总结:FOD817SD 以高 CTR、低饱和电压与 5 kV 隔离能力为主要优势,适用于需要高灵敏度、可靠隔离的工业与消费电子场景。在设计时须兼顾输入驱动电流、输出功耗及工作温度,以确保稳定与长期可靠运行。