BSS84AHZGT116 产品概述

一、概述

BSS84AHZGT116 是 ROHM（罗姆）出品的一款小功率 P 沟道 MOSFET，采用 TO-236-3 (SOT-23-3) 小封装。器件针对低电流、高侧开关与小信号功率控制场景进行了优化，额定漏源电压 |Vdss| 为 60 V，连续漏极电流 Id 为 230 mA，适合便携设备、低功耗开关以及保护/隔离电路中用作高侧开关或信号级开关元件。

主要参数（用户提供）：

• 数量：1 个 P 沟道
• 漏源电压 (Vdss)：60 V（P 沟道，注意栅源电压极性）
• 连续漏极电流 (Id)：230 mA
• 导通电阻 (RDS(on))：5.3 Ω @ |Vgs| = 10 V，Id = 230 mA
• 功耗 (Pd)：200 mW
• 阈值电压 (Vgs(th))：约 2.5 V（对 P 沟道器件通常表示为 Vgs(th) ≈ -2.5 V，即在该负栅压附近开始导通）
• 输入电容 (Ciss)：34 pF @ 30 V
• 封装：TO-236-3 (SOT-23-3)
• 型号说明：PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL

二、器件特性与电气意义

• 高压能力：|Vdss| = 60 V，允许在较高电压系统中作为高侧开关或反向保护器件使用，适用于中低电压电源轨（例如电池供电或汽车电子的某些次级线路）。
• 低电流定位：连续电流 230 mA，RDS(on) 较大（5.3 Ω），这说明器件更适合做信号开关、低电流（几十到数百毫安级）负载控制，而非高功率应用。
• 阈值电压及极性：所给阈值 2.5 V 在 P 沟道器件中通常表示为 -2.5 V（即当栅极相对于源极为负约 2.5 V 时开始导通）；实际开通所需的栅压大小影响 RDS(on)，用户给出的 RDS(on) 数据是在 |Vgs| = 10 V 条件下测得。
• 开关性能：Ciss 仅 34 pF，栅极电容较小，有利于快速开关、低驱动能量开销的场合，适合频率不高、需要快速响应的信号级切换。

三、典型应用场景

• 电池供电设备中的高侧负载开关（例如在电源管理中作为电源路径控制）
• 信号级反向保护或极性选择电路
• 小型 MOSFET 阻抗开关、模拟开关或低电流负载驱动
• 便携式仪器、传感器模块、移动设备的低电流电源分配
• 作为电平位移或电源选择的控制元件（需要留意栅源电压范围）

四、使用要点与设计注意

• 栅极驱动：作为 P 沟道器件，需施加负向 Vgs（相对源极）以导通；当用标准正电压系统控制时，需设计驱动电路以提供合适的栅极电位。用户给出的 RDS(on) 为 |Vgs| = 10 V 条件下的值，若在较小 |Vgs| 下工作（例如 |Vgs| = 4.5 V 或 3.3 V），RDS(on) 会显著升高，应参考完整数据手册选择工作点。
• 功耗与热管理：器件额定耗散功率 Pd = 200 mW。按照 P = I^2·RDS(on) 估算，在 Id = 230 mA、RDS(on)=5.3 Ω 情况下功耗约 0.153 W，接近额定功耗上限。实际应用需考虑环境温度、PCB 散热能力以及器件结-外壳和结-环境热阻的降额，必要时降低平均电流或采用并联/其它元件以分散热量。
• 绝对最大值与工作余量：请查阅 ROHM 官方数据手册确认 Vgs 的绝对极限、耐压随温度的降额曲线以及 SOA（安全工作区）；不要在超过数据手册允许的 Vgs 或 Id 条件下长期工作。
• 开关与保护：为抑制开关尖峰，建议在门极串联小电阻（例如 100 Ω~1 kΩ）以及根据需要在漏源之间并联减幅元件（如 TVS 或 RC 吸收），具体值依系统特性决定。

五、封装与机械

• 封装类型：TO-236-3 (SOT-23-3)，小体积，适合高密度 PCB 布局。SOT-23 封装便于表面贴装制造，但散热有限，设计 PCB 铜箔面积时应考虑热扩散以提高结-环境散热性能。

六、选型与采购建议

• 若目标应用是弱电流/开关控制且需 60 V 耐压，BSS84AHZGT116 是合适的选择；若需要更低导通电阻或更大持续电流，应考虑面向功率的 P 沟道 MOSFET 或并联多个器件。
• 采购时确认封装、筛选等级及供货包装（单颗、带卷带或管装）以便于装配与性能一致性。
• 最终设计前务必参考 ROHM 的完整版数据手册和型号说明，以获得完整的绝对最大额定值、温度特性、典型曲线与应用参考电路。

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