EDZVFHT2R11B 产品概述

一、产品简介

EDZVFHT2R11B 是 ROHM（罗姆）推出的一款小型 11V 稳压（齐纳）二极管，标称稳压值 11V、容差 2%，配置于 SC-79（SOD-523）超小型贴片封装，适用于对体积与成本敏感但需稳定参考电压或低功耗钳位功能的汽车电子以及一般工业电子应用。器件的耗散功率为 150mW，动态阻抗（Zzt）为 30Ω，反向电流 Ir 在 8V 时仅 100nA，体现出低泄漏与良好的小信号电压稳定特性。

二、主要规格与电气特性

• 标称稳压值（Vz）：11V（±2%）
  • 标准公差 ±2%，即稳压值通常在约 10.78V 至 11.22V 区间内。
• 反向漏电流（Ir）：100nA @ 8V（典型）
  • 在偏低反向电压下泄漏极小，适合高阻态参考与低功耗电路。
• 耗散功率（Pd）：150mW（总耗散，器件级）
  • 注意这是封装与热条件下的极限值，长期工作建议适当降额。
• 动态阻抗（Zzt）：30Ω
  • 在测试电流下的交流阻抗，影响稳压精度：电流变化 1mA 会引起约 30mV 的电压变化。
• 封装：SC-79 / SOD-523（2 引脚，超小型表面贴装）

三、热与电流设计注意事项

• 最大允许稳压电流（Iz_max）：Iz_max = Pd / Vz = 150mW / 11V ≈ 13.6mA
  • 出于可靠性与长期稳定性考虑，建议采用保守降额，例如 ≤ 80% Pd。按此计算的建议最大工作电流约 10.9mA。
• 动态阻抗影响：当负载或注入电流在工作点附近波动时，电压会随 ΔI 按 Zzt 变化（ΔV ≈ Zzt × ΔI），设计时需考虑稳压容差与负载变化带来的电压漂移。
• 漏电流影响：Ir 在 8V 时约 100nA，表明在低电流与高阻抗参考应用中，漏电影响微小，可用于高精度微功耗参考源，但在精密测量场景仍需评估温度相关漂移。

四、典型应用与电路范例

• 应用场景：
  • 汽车仪表与微控制器辅助参考电压
  • 电源浪涌/过压钳位
  • 小功率基准源、传感器输入保护
  • 电压监控与低速开关点生成
• 典型串联限流方式（简易稳压）：
  • 计算示例（24V 输入，目标 Iz = 5mA）：R = (Vin - Vz) / Iz = (24 - 11) / 5mA = 2.6kΩ
    • Zener 功耗 Pd = Vz × Iz = 11V × 5mA = 55mW（低于 150mW，安全）
  • 若要接近最大允许电流（取 Iz ≈ 10mA），需注意 R 与限流电阻功耗以及器件热管理。

五、封装与安装建议

• SOD-523 为超小型贴片封装，热阻相对较高，散热能力有限。长期高功率工作应避免在此封装下满负荷运行。
• 推荐在 PCB 设计中使用与厂方数据手册一致的焊盘尺寸与热回流建议，以保证可靠的焊接与热传导。
• 返修与手工焊接时应控制峰值温度和停留时间，避免对小封装产生过热应力。
• 建议在可能的情况下提供一定的散热铜箔面积与热通道，以降低结温并提高长期可靠性。

六、可靠性与使用建议

• 作为面向汽车的产品（Automotive），其设计考虑了更严格的工作温度与寿命要求，但具体是否符合某项汽车级认证（如 AEC-Q101）请以厂方规格书为准，设计时请索取并参照完整规格书与资格声明。
• 设计时建议：
  • 遵守 Pd 限值并留有降额裕量（推荐 ≤ 80% Pd）
  • 在稳压回路中配合适当的旁路电容以抑制瞬态与高频噪声，但须注意容性负载对稳压行为的影响
  • 对于高脉冲或频繁过压事件，应采用专用瞬态抑制器（TVS）或串联器件分摊能量，而非单一小功率齐纳承受冲击

七、选型与获取资料

如需将 EDZVFHT2R11B 用于具体项目，建议：

• 向 ROHM 或授权分销商索取最新版数据手册（Datasheet）、封装图与推荐焊盘样式
• 根据系统供电条件计算实际稳压电流与功耗，并进行热仿真或试验验证
• 在样片阶段进行温度循环、长时老化与 EMI/ESD 等可靠性测试以确认满足系统要求

本概述聚焦器件关键参数与工程实用建议，便于快速评估EDZVFHT2R11B在目标电路中的适用性。若需依据具体工作电压、负载条件给出更精确的限流电阻计算或布局建议，可提供电路环境与应用场景以便进一步分析。