型号:

TPD4E110DPWR

品牌:TI(德州仪器)
封装:X2-SON-4-EP(0.8x0.8)
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
-
TPD4E110DPWR 产品实物图片
TPD4E110DPWR 一小时发货
描述:Quad 0.45-pF, 5.5-V, ±12-kV ESD protection diode for High Speed
库存数量
库存:
814
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.772
3000+
0.716
产品参数
属性参数值
极性单向
反向截止电压(Vrwm)5.5V
钳位电压13V
峰值脉冲电流(Ipp)2.5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)35W@8/20us
击穿电压7.5V
反向电流(Ir)1nA
通道数四路
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.55pF

TPD4E110DPWR 产品概述

一、简介

TPD4E110DPWR 是德州仪器(TI)推出的一款四路单向 ESD 防护二极管,针对高速差分和单端信号线的静电及浪涌保护进行了优化。器件在极低结电容条件下提供高能脉冲吸收能力与严格的泄漏控制,适用于对信号完整性要求高的接口保护方案。

二、主要特性

  • 极性:单向(Unidirectional)
  • 工作反向电压(Vrwm):5.5 V
  • 击穿电压(Vbr):典型约 7.5 V
  • 钳位电压:约 13 V(在 Ipp = 2.5 A, 8/20 µs 条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:2.5 A @ 8/20 µs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:35 W @ 8/20 µs
  • 反向电流 Ir:约 1 nA(常温)
  • 结电容 Cj:极低(典型约 0.45 pF,最大约 0.55 pF)
  • 通道数:4 路
  • 工作温度:-40 ℃ 至 +125 ℃
  • 符合 IEC 61000-4-2(ESD)及 IEC 61000-4-5(浪涌)要求
  • 封装:X2-SON-4-EP(0.8 mm × 0.8 mm),带底部散热焊盘

三、典型应用

  • 高速接口保护:USB、USB-C、HDMI、DP、MIPI、LVDS 等
  • 移动设备与便携终端的外部连接口保护
  • 工业与汽车电子的低压信号线防护(按温度等级与认证要求选型)
  • 摄像头模组、传感器与射频混合信号通道保护

四、封装与热管理

X2-SON-4-EP 超小封装(0.8×0.8 mm)有利于节省 PCB 面积,并通过底部焊盘增强热/电性能。建议在 PCB 布局时为底部焊盘开设充足的过孔或焊盘面积,以利热量散发及良好接地连接。

五、设计与布局建议

  • 器件应尽量靠近待保护的连接器或输入引脚放置,减小未保护走线长度以提高防护效果。
  • 对于差分高速信号,优先保证走线阻抗连续,若需额外串联电阻以改善匹配,应放置在二极管的上游。
  • 接地平面应尽可能靠近器件底部焊盘,避免长回流路径并减少寄生电感。
  • 在高能脉冲环境中,考虑与滤波或限流元件协同设计以降低钳位能量集中。

六、结论

TPD4E110DPWR 以其极低结电容、四通道集成与符合 IEC 防护标准的抗冲击性能,为高速度接口提供优秀的电磁兼容保护解决方案。其小型封装适合空间受限的移动设备和高密度系统,是需要在保持信号完整性同时实现可靠防护场合的理想选择。