ESD9B3.3ST5G 产品概述

一、产品简介

ESD9B3.3ST5G 是 DOWO（东沃）推出的一款双向瞬态抑制二极管（TVS），专为 3.3V 等级的接口和高速数据线提供静电放电（ESD）及浪涌保护。器件为单路、SOD-923 小封装，适合空间受限的便携设备与板级防护应用。

二、主要特性

• 极性：双向，适用于无直流偏置的信号线保护
• 反向截止电压（Vrwm）：3.3V
• 击穿电压（Vbr）：约 4V
• 钳位电压：10V（在指定浪涌条件下）
• 峰值脉冲电流（Ipp）：11.2A @ 8/20μs
• 峰值脉冲功率（Ppp）：100W @ 8/20μs
• 反向电流（Ir）：≤500nA（在 Vrwm 条件下）
• 结电容（Cj）：15pF，适合高速信号线
• 工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
• 符合 IEC 61000-4-2（ESD）与 IEC 61000-4-5（浪涌）防护等级

三、典型应用场景

• USB、HDMI、MIPI、LVDS 等高速差分/单端数据接口的板级保护
• 无线终端、物联网终端、消费电子设备的外部接口（耳机、外接串口等）
• 工业控制、仪表前端的信号线与通讯口防护

四、关键规格说明

该器件在 8/20μs 浪涌测试条件下，可承受 11.2A 峰值脉冲电流并将瞬态电压钳制到约 10V，最大吸收功率 100W。15pF 的低结电容保证对高速信号影响小，典型反向漏电低至 500nA，可兼顾信号完整性与低功耗需求。

五、封装与 PCB 布局建议

• 封装：SOD-923，适合自动贴装与紧凑布板。
• 布局：器件应尽量靠近受保护的连接器或受扰节点放置，走线短且宽；到地的回流路径要采用多过孔或短接地平面以降低感性阻抗；避免在保护器与受保护线之间有长走线或大回流环路。

六、使用注意事项

• 由于为双向器件，不建议用于含有较大直流偏置的供电轨（如长期带电的 VCC）；对有直流偏置的 3.3V 电源建议采用单向 TVS。
• 请勿超过规定的 8/20μs 脉冲能量极限，避免重复或连续超过规格的浪涌。
• 在高频高速应用中，考虑结电容对信号的影响，必要时在评估后选择合适型号。

总结：ESD9B3.3ST5G 以其双向保护、低电容与高浪涌吸收能力，适合对 3.3V 等级高速数据线和外部接口进行高效的瞬态过压与静电防护。若需样片、尺寸图或更多电气特性曲线，可联系厂商获取完整数据手册。