型号:

WS742904M-8/TR

品牌:WILLSEMI(韦尔)
封装:MSOP-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
WS742904M-8/TR 产品实物图片
WS742904M-8/TR 一小时发货
描述:运算放大器 高压通用运算放大器
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最小包:4000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.368
4000+
0.344
产品参数
属性参数值
放大器数双路
最大电源宽度(Vdd-Vss)32V
轨到轨轨到轨输出
增益带宽积(GBP)1.5MHz
输入失调电压(Vos)2mV
输入失调电压温漂(Vos TC)2.7uV/℃
压摆率(SR)2.2V/us
输入偏置电流(Ib)20pA
输入失调电流(Ios)20pA
噪声密度(eN)38nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)120dB
静态电流(Iq)100uA
输出电流20mA
工作温度-40℃~+125℃
单电源3V~28V

WS742904M-8/TR 产品概述

一、简介

WS742904M-8/TR 是 WILLSEMI(韦尔)推出的一款双路高压通用运算放大器,针对工业级和仪器级应用进行优化。器件支持轨到轨输出、单电源工作并覆盖宽电源范围,适合需要大动态范围、低功耗和低噪声的系统。器件采用 MSOP-8 小封装,便于在空间受限的电路板上实现双通道放大功能。

二、主要性能参数

  • 放大器数:双路
  • 最大电源宽度 (Vdd - Vss):32 V
  • 单电源工作电压:3 V ~ 28 V
  • 输出类型:轨到轨输出
  • 增益带宽积 (GBP):1.5 MHz
  • 压摆率 (SR):2.2 V/μs
  • 输入失调电压 (Vos):2 mV
  • 输入失调电压温漂 (Vos TC):2.7 μV/℃
  • 输入偏置电流 (Ib):20 pA
  • 输入失调电流 (Ios):20 pA
  • 噪声密度 (eN):38 nV/√Hz @ 1 kHz
  • 共模抑制比 (CMRR):120 dB
  • 静态电流 (Iq):100 μA(典型)
  • 输出电流:20 mA
  • 工作温度范围:-40 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:MSOP-8
  • 品牌:WILLSEMI(韦尔)

三、设计优势

  • 宽电源范围与高耐压能力:支持单电源至 28 V,最大电源差可达 32 V,适合多种工业及汽车级电源环境。
  • 轨到轨输出:在不同供电电压下可获得更大输出摆幅,利于最大化动态范围与信号利用率。
  • 低电流与低噪声:典型静态电流仅 100 μA,结合 38 nV/√Hz 的噪声密度,适合低功耗且对噪声敏感的前端放大。
  • 极低输入偏置/失调电流与良好失调性能:Ib 和 Ios 均为 20 pA,Vos 典型仅 2 mV,Vos 温漂仅 2.7 μV/℃,适合高精度传感器前端与差分信号处理。
  • 高 CMRR:120 dB 的共模抑制能力有助于抑制共模干扰,提高测量精度。
  • 小型封装:MSOP-8 节省 PCB 空间,便于双通道集成设计。

四、典型应用场景

  • 传感器信号调理(温度、压力、应变、霍尔等)
  • 数据采集与前端放大器(低频高精度测量)
  • 工业控制与过程测量仪器
  • 便携式与电池供电仪器(因其低静态电流特性)
  • 音频前置放大(中低频段)及低速信号处理
  • 精密比较、滤波与缓冲电路

五、封装与环境适应性

WS742904M-8/TR 提供 MSOP-8 封装,适合 SMT 工艺,便于在空间受限或双通道混合信号板上布局。器件支持工业级温度范围(-40 ℃ ~ +125 ℃),适合大多数恶劣工业环境使用。产品标识与订购信息以 “WS742904M-8/TR” 为准,具体包装、最小订购量与出货规格请参考韦尔官方数据手册与销售渠道。

六、使用建议与注意事项

  • 电源去耦:为保证低噪声与稳定性,建议靠近器件电源引脚放置旁路电容(如 0.1 μF 与 1 μF 的组合)。
  • 布局与接地:模拟地应尽量独立并短线回流,输入引脚与高阻节点避免长走线以降低干扰与漂移。
  • 驱动与负载:器件可提供最高约 20 mA 的输出驱动能力,适合驱动轻载或后级高阻输入;驱动较大电容性负载时建议串联阻抗以避免振荡。
  • 带宽与闭环增益:GBP 为 1.5 MHz,适合中低频放大与滤波设计,高增益下带宽会显著下降,应根据实际增益选择补偿与反馈网络。
  • 高频与瞬态性能:压摆率 2.2 V/μs 在快速跨越信号下可能产生限制,设计快速脉冲或阶跃响应电路时应评估是否满足要求。

七、结论

WS742904M-8/TR 是一款面向工业与仪器应用的双路高压通用运放,结合轨到轨输出、宽电源范围、低噪声、低偏置电流与高 CMRR 等优势,适合用于传感器前端、数据采集与低功耗仪器等场景。工程师在使用时应关注带宽与压摆率限制、合理布线去耦与负载匹配,以发挥器件在精度与稳定性方面的优势。若需更详细的电气特性曲线、典型应用电路或封装图,请参考 WILLSEMI 官方数据手册。