D2V5L1BS2LP4-7B 产品概述

D2V5L1BS2LP4-7B 为 DIODES（美台）推出的一款单路瞬态电压抑制器（TVS），面向对低压信号线和供电线的浪涌与静电防护场景。器件采用小尺寸 X1-DFN1006-2 封装，性能平衡、可靠性高，适用于消费电子、通信、工业控制等需要 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（静电放电）保护的应用。

一、主要特点

• 反向截止电压（Vrwm）：2.5 V，适配 2.5 V 等低电压系统保护
• 击穿电压：约 2.6 V，快速进入导通状态以钳位过电压
• 钳位电压：6 V（典型），在冲击时有效限制电压上升
• 峰值脉冲电流（Ipp）：15 A @ 8/20 μs，支持短时大电流冲击
• 峰值脉冲功率（Ppp）：90 W @ 8/20 μs，抗浪涌能力良好
• 反向电流（Ir）：1 μA，泄漏小，对电路干扰小
• 结电容（Cj）：约 30 pF，适用多数信号线但对超高速接口需注意影响
• 单路保护、工作温度范围广：-55 ℃ ~ +150 ℃

二、主要电气参数（摘要）

• 类型：TVS（一体化瞬态抑制二极管）
• Vrwm：2.5 V；Vbr（击穿）：2.6 V；Vclamp：6 V（典型）
• Ipp：15 A @ 8/20 μs；Ppp：90 W @ 8/20 μs
• Ir（反向静态电流）：1 μA；Cj（结电容）：30 pF

三、典型应用场景

• 2.5 V 电源轨和外设接口保护（如工控模块、传感器接口）
• 串行信号线与低压差分对的浪涌与静电防护
• 小型便携设备的板级瞬态保护，要求体积小且可靠性高的场合
• 满足 IEC 61000-4-5 / IEC 61000-4-2 标准的系统防护方案

四、封装与环境适应性

• 封装：X1-DFN1006-2，小型化利于高密度布板与自动贴装
• 环境：工作温度 -55 ℃ 至 +150 ℃，适应工业级温度范围
• 防护等级：符合 IEC 61000-4-5（浪涌）与 IEC 61000-4-2（ESD）测试要求

五、布局与使用建议

• 器件应尽量靠近需保护的引脚或连接器焊盘放置，缩短引线长度以降低寄生感抗
• 地线采用低阻抗大平面并通过多点焊接，确保冲击电流能迅速回流
• 对高速差分信号，应评估 30 pF 结电容对信号完整性的影响；必要时在前端增加串阻或选择更低电容器件
• 对于重复浪涌或高能量环境，需在系统级考虑能量分流与保护器件的热耗散

六、订购与替代说明

• 品牌：DIODES（美台）
• 型号：D2V5L1BS2LP4-7B，适用于需要单路低压快速抑制的设计
• 在选择替代品时，优先比对 Vrwm、Vbr、Vclamp、Ipp、Cj 与工作温度等关键参数，确保在系统级保护与信号完整性之间取得平衡

总结：D2V5L1BS2LP4-7B 为一款面向低压、信号敏感应用的高可靠性 TVS 器件，结合小型封装与符合 IEC 标准的防护能力，适合板级浪涌与静电防护设计。