ESD321DYAR 产品概述

一、产品简介

ESD321DYAR（TI）是一款单路、单向低容抗静电/浪涌保护二极管，专为高速接口（如 USB）设计。其反向截止电压 Vrwm 为 3.6V，适配 3.3V/USB 电源与数据保护要求；结电容仅 0.9pF，对高速差分信号干扰极小。器件采用 SOT-5X3 小封装，适合靠近接口的 PCB 布局。

二、主要电气参数

• 极性：单向
• 反向截止电压（Vrwm）：3.6V
• 击穿电压（Vbr）：7.5V
• 钳位电压（典型 TLP）：6.8V（16A TLP）
• 峰值脉冲电流：6A @ 8/20µs（PPP=40W @ 8/20µs）
• 反向电流（Ir）：100pA（低漏流）
• 结电容（Cj）：0.9pF
• 工作温度：-40℃ ~ +125℃
• 符合 IEC 61000-4-2 / 4-4 / 4-5（ESD、EFT、浪涌）

三、典型性能与优势

• 低电容（0.9pF）：对 USB、SFP 等高速线路影响小，保障信号完整性。
• 高效钳位（6.8V @ 16A TLP）：在高幅值瞬态下快速限制电压峰值，保护下游器件。
• 低漏电流（100pA）：适用于低功耗与电池供电设备。
• 紧凑封装（SOT-5X3）：减少占板面积，便于靠近接口放置以降低寄生感抗。

四、典型应用场景

• USB（Type-A/Type-C）接口 ESD 保护（单条数据线保护，差分对需两颗）
• 手机、平板与笔记本 I/O 口保护
• 工业与消费类高速数据接口防护

五、PCB 布局与使用建议

• 器件务必靠近受保护的接口或引脚放置，以缩短走线并降低寄生电感。
• 将器件的地端与系统参考地通过短、宽的铜箔连接；必要时辅以多过孔接地以提高回流能力。
• 若用于 USB 差分对，建议对称布局并为每条线使用独立保护器件。
• 对于更高能量的浪涌事件，可在输入侧串联电阻或配合其他滤波/限流元件使用。

六、可靠性与选型注意事项

选择时确认 Vrwm（3.6V）与系统静态电压匹配，避免在正常工作电压下频繁进入击穿区。若系统存在更大浪涌或需要更高的持续能量吸收能力，应评估并采用并联/级联保护或更高额定的 TVS 器件。

ESD321DYAR 提供了在高速接口上兼顾低容、低漏与高能量瞬态抑制的解决方案，是 USB 等接口防护的理想选择。