DESD3V3S1BLP3-7 产品概述

一、产品简介

DESD3V3S1BLP3-7 是 DIODES（美台）推出的一款用于静电与浪涌保护的单路瞬态抑制二极管（TVS/ESD）。该器件以小尺寸 DFN0603-2 封装实现对 3.3V 信号线的高效保护，适合对体积、成本和防护性能有综合要求的便携与工业级电子设备。

二、主要参数与性能特点

• 反向截止电压 Vrwm：3.3V，针对 3.3V 工作电平优化；
• 击穿电压 Vbr：6.5V（典型）；钳位电压 Vclamp：7V（在 8/20µs、5A 峰值下）；
• 峰值脉冲电流 Ipp：5A @ 8/20µs，峰值脉冲功率 Ppp：35W @ 8/20µs；
• 反向漏电流 Ir：10nA（低泄漏利于电池供电设备）；结电容 Cj：10pF（对高速信号影响可控）；
• 通道数：单路；工作温度范围：-65℃ ~ +150℃；符合 IEC 61000-4-2 静电放电抗扰标准。

三、典型应用场景

适用于 3.3V 电平的接口与信号线路保护，如 GPIO、UART、I2C、SPI、蓝牙/射频天线前端、移动终端数据口、物联网节点及工业控制模块等，能在 ESD 或雷击浪涌事件中有效保护后级芯片不被损坏。

四、封装与 PCB 布局建议

DFN0603-2 小封装有助于节省 PCB 面积，但对布局要求较高：器件应尽量靠近被保护的连接器或器件引脚放置，保护二极管的接地回路要短且粗，确保快速将脉冲电流导入公共地；对于高速信号，注意结电容 10pF 对信号完整性的影响，可通过在源端增加小阻抗或使用差分对设计降低反射与串扰；如需提升耐冲击能力，可与串联阻抗或防护电阻配合使用。

五、可靠性与选型建议

该器件工作温度宽、低漏电、高脉冲吸收能力，使其适合严苛环境应用。选型时须平衡钳位电压与被保护芯片的最大承受电压、结电容对信号带宽的影响以及实际可能遭受的浪涌能量（Ipp/Ppp）。总体而言，DESD3V3S1BLP3-7 在紧凑设计中提供了对 3.3V 线的可靠 ESD/浪涌防护，是移动与工业电子产品的优选保护元件。