ZMM18V 稳压二极管（JSMSEMI 杰盛微）产品概述

一、产品简介

ZMM18V 是 JSMSEMI（杰盛微）推出的一款独立式稳压二极管，标称稳压值 18V，实际稳压范围为 16.8V～19.1V。该器件以 LL-34（玻封小型轴向）封装提供，适用于小功率、点稳压和基准电压场合。典型反向漏电流 Ir 为 100nA（@1V），直流耗散功率 Pd 为 500mW，交流动态阻抗 Zzt 约为 50Ω（测试条件请参考完整数据表）。

二、主要电气参数（关键信息）

• 标称稳压值：18V
• 稳压值范围：16.8V～19.1V
• 反向电流 Ir：100nA @ 1V
• 直流耗散功率 Pd：500mW（器件极限，使用时需考虑散热和余量）
• 交流阻抗 Zzt：50Ω（影响负载调节性能）
• 封装：LL-34（轴向玻封小体积）

三、性能特点与优势

• 稳压点位于 18V，适合中低功率的正负电压基准或稳压保护用途。
• 低反向漏电流在高阻抗电路或测量电路中有利于降低偏置误差。
• 小体积 LL-34 封装便于空间受限的应用，同时便于通过孔安装与手工焊接。
• 动态阻抗在 50Ω 级别，适用于对负载变化要求不苛刻的稳压场景。
• 500mW 的耗散能力支持一定的稳态电流，但需按温度与散热条件计算实际允许电流。

四、典型应用场景

• 低功耗信号电路的参考电压源与基准点。
• 保护与钳位电路，在电压超限时保护后级器件。
• 仪表与传感前端中需要稳定电压点的偏置电路。
• 小型开关电源的辅助参考或吸收突发过压脉冲（需限流保护）。

五、选型与使用建议

1. 最大稳态电流计算：在理想情况下，Imax = Pd / Vz = 500mW / 18V ≈ 27.7mA。为保证可靠性与散热余量，建议常态使用电流按 40%60% 降额，即实际工作电流优先控制在 1015mA 左右。
2. 串联限流电阻设计（做分压/稳压单元时）：R = (Vin - Vz) / (Iz + Iload)。其中 Iz 为二极管上的工作电流，Iload 为负载电流。注意选取电阻功耗并留有裕度。
3. 动态阻抗影响稳压精度：Zzt=50Ω 在负载变化下会产生较大的压降，若负载波动或精度要求高，建议增加滤波电容或使用低阻抗稳压器替代。
4. 稳压值范围考量：器件规格范围 16.8V～19.1V，若设计对电压容差敏感，应在选型时进行分选或选择更精密规格。
5. 热管理：LL-34 为小封装，散热能力有限；在高环境温度或连续较高工作电流条件下，应通过降额或外加散热路径确保 Pd 不被长期超限。

六、典型电路与实用提示

• 点稳压（分压＋稳压管）：输入 Vin 先经串联电阻 R，再并联 ZMM18V 于地，稳压管承受多余电压并维持 18V。设计时同时评估最大功耗与瞬态浪涌。
• 低噪声应用可在稳压管并联电容（10nF~1uF）以降低高频噪声；若要求更好的瞬态响应，可增加 RC 滤波或后级缓冲放大器。
• 对于浪涌电压或感性反冲场合，建议在稳压管前端加入限流或抑制元件以保护稳压二极管不被击穿。

七、封装与可靠性

LL-34 轴向封装适合通过孔安装与手工装配，机械强度和温度循环可靠性良好，但在强振动或高速自动贴装线下要注意保护引脚与玻封。储存与使用时避免长期受潮、高温或过压冲击；详细寿命与环境测试结果请参照 JSMSEMI 官方数据表与可靠性报告。

总结：ZMM18V（JSMSEMI）是面向小功率应用的 18V 稳压二极管，具有低漏电、合理的耗散能力与小型封装，适合点稳压、钳位和参考电路。使用时应关注实际工作电流的降额设计、动态阻抗对稳压精度的影响以及封装散热限制。若需更高精度或更大功率，应考虑更低阻抗或更大耗散能力的替代方案。