OPA2828IDGNR 产品概述

一、主要特性

OPA2828IDGNR 是德州仪器（TI）推出的双通道高速、低噪声 JFET 输入运算放大器。典型性能包括增益带宽积（GBP）45 MHz、压摆率（SR）150 V/μs、噪声密度约 4 nV/√Hz（1 kHz），输入偏置电流极低仅 0.2 pA，输入失调电压典型 25 μV，温漂 0.2 μV/℃，共模抑制比（CMRR）108 dB。器件可单电源工作 8 V–36 V，或双电源 ±4 V–±18 V，最大允许电源差 36 V。每通道静态电流约 5.5 mA，输出驱动能力可达 50 mA。封装为 HVSSOP-8，适合 SMD 裸板应用。

二、电气性能亮点

• 极低的输入偏置与失调（Ib ≈ 0.2 pA，Vos ≈ 25 μV），适合高阻抗源和微小信号测量。
• 45 MHz 的 GBP 与 150 V/μs 的高速响应，使其在需要带宽与瞬态性能的精密放大场合表现优异。
• 4 nV/√Hz 的低噪声特性，适合驱动高分辨率 ADC 与低噪声前置放大器。
• 宽电源范围与较强的输出驱动（50 mA）提供对多种系统供电与负载的兼容性。

三、典型应用

适用于精密数据采集前端、ADC 驱动、光电二极管跨阻放大器、医学检测仪器、测试测量设备、音频前置放大器及工业传感器接口等场景。特别适合需要同时兼顾低噪、高速与超低偏置电流的高阻抗信号链。

四、设计与布局建议

• 电源旁路：建议在每个电源引脚并联 0.1 μF 与 10 μF 陶瓷/钽电容，靠近器件引脚布局以抑制高频干扰。
• 高阻抗结点：为保持低偏置电流与低漏电，关键输入节点缩短走线并采用地面隔离/防漏涂层；必要时使用驱动屏蔽（guard）技术。
• 保护与稳定：对于大输入摆幅或容性负载，考虑加入串联电阻或频率补偿网络以防振荡。
• 热管理与封装：HVSSOP-8 封装体积小，关注焊盘热阻与散热路径，必要时通过底层铜箔改善散热。

五、封装与订购信息

器件型号：OPA2828IDGNR；制造商：TI（德州仪器）；封装：HVSSOP-8。详细规格、典型应用电路与参数表可参考 TI 官方器件手册与数据表以获得完整设计数据与布局示意。

六、总结

OPA2828IDGNR 在低噪声、低偏置与高速响应之间实现了良好平衡，适合对精度和带宽都有较高要求的模拟前端设计。凭借宽电源范围与较强的输出驱动能力，能在多种单/双电源系统中稳定工作，是高阻抗、低噪声测量与高速信号处理的优选放大器。